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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
W25Q16CVSSAG Winbond Electronics W25Q16CVSSAG -
RFQ
 ECAD 1725 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16CVSSAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q16JWSNAM Winbond Electronics W25Q16JWSNAM -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWSNAM 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N02KWTBIR Winbond Electronics W25N02KWTBIR 4.3845
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25N02KWTBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
IS46LD32128A-25BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2 -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128A-25BPLA2 廃止 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
CY7C0851AV-133AXC Infineon Technologies Cy7C0851AV-133AXC -
RFQ
 ECAD 6220 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 176-LQFP Cy7C0851 sram- デュアルポート、同期 3.135V〜3.465V 176-TQFP （24x24） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 40 133 MHz 揮発性 2mbit sram 64k x 36 平行 -
S25FL032P0XMFI013 Cypress Semiconductor Corp S25FL032P0XMFI013 3.5900
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-p テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3A991B1A 8542.32.0071 70 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
71321SA55JI Renesas Electronics America Inc 71321SA55JI -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc 71321SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
043641QLAD-5 IBM 043641QLAD-5 36.2600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 IBM - バルク アクティブ 表面マウント 119-BBGA 3.3V 119-BGA （17x7） ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 25 4mbit sram 256k x 18 HSTL
CY7C1345S-100AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1345S-100AXC 6.3300
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1345 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - 48 100 MHz 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 128k x 36 平行 - 確認されていません
24AA025-I/MS Microchip Technology 24AA025-I/MS 0.4050
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-tssop 、8-msop （0.118 "、3.00mm 幅） 24AA025 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
GS8256418GB-250I GSI Technology Inc. GS8256418GB-250I 448.5000
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 119-BGA GS8256418 sram- 同期、標準 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 119-fpbga（22x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS8256418GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250 MHz 揮発性 288mbit sram 16m x 18 平行 -
71256SA15PI Renesas Electronics America Inc 71256SA15PI -
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop - 800-71256SA15PI 1 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
UCS-MR-2X164RX-C-C ProLabs UCS-MR-2X164RX-CC 150.0000
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-UCS-MR-2X164RX-CC ear99 8473.30.5100 1
S27KS0643GABHB020 Infineon Technologies S27KS0643GABHB020 5.9355
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™KS トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA S27KS0643 psram（pseudo sram 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 338 200 MHz 揮発性 64mbit 35 ns psram 8m x 8 SPI -OCTAL I/O 35ns
W25Q128BVEBG Winbond Electronics w25q128bvebg -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128BVEBG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
71321SA17PFI Renesas Electronics America Inc 71321SA17PFI -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 - 800-71321SA17PFI 1 揮発性 16kbit 17 ns sram 2k x 8 平行 17ns
W971GG6NB-18 TR Winbond Electronics w971gg6nb-18 tr 2.7826
RFQ
 ECAD 6872 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG6NB-18TR ear99 8542.32.0032 2,500 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
MTFC64GJVDN-3M WT Micron Technology Inc. mtfc64gjvdn-3m wt -
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
CY7C1399B-15VXI Infineon Technologies CY7C1399B-15VXI -
RFQ
 ECAD 8550 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 27 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
W25N02KVSFIU Winbond Electronics W25N02KVSFIU -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVSFIU 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
INT70P0844 IBM INT70P0844 -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 IBM * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES：a -
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
85C82-E/PD21 Microchip Technology 85C82-E/PD21 1.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 0000.00.0000 1
AS4C128M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCN 8.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BCN ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 15ns
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT：d -
RFQ
 ECAD 4780 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
S25HL512TFAMHI013 Infineon Technologies S25HL512TFAMHI013 9.6950
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 166 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
C-4800D5DR8S/32G ProLabs C-4800D5DR8S/32G 487.5000
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-4800D5DR8S/32G ear99 8473.30.5100 1
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EKIGR 0.3676
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 100μs6ms
70V38L20PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V38L20PFI8 -
RFQ
 ECAD 1541 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V38L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 揮発性 1.125mbit 20 ns sram 64k x 18 平行 20ns
SST39VF400A-70-4C-B3KE SST Silicon Storage Technology, Inc SST39VF400A-70-4C-B3KE 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 SSTシリコンストレージテクノロジー、Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA - 3277-SST39VF400A-70-4C-B3KE ear99 8542.32.0071 480 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 256k x 16 平行 20µs 確認されていません
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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