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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NDS76PT5-16ET TR Insignis Technology Corporation NDS76PT5-16ET TR 2.0259
RFQ
 ECAD 9344 0.00000000 Insignis Technology Corporation - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II - 1982-NDS76PT5-16ETTR 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit ドラム 4m x 32 lvttl -
IS25WP064D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JBLA3-TR 1.5646
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP064D-JBLA3-TR 2,000 166 MHz 不揮発性 64mbit 5.5 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L 2.6600
RFQ
 ECAD 3972 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F2G01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L 8542.32.0071 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
SM671PAE-AFSS Silicon Motion, Inc. SM671PAE-AFSS -
RFQ
 ECAD 8005 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM671PAE-AFSS 1 不揮発性 640GBIT フラッシュ 80g x 8 UFS2.1 -
R1LP0108ESF-7SR#S0 Renesas Electronics America Inc R1LP0108ESF-7SR ＃S0 -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） R1LP0108 sram 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 70 ns sram 128k x 8 平行 70ns
AT25020-10PC-2.7 Microchip Technology AT25020-10PC-2.7 -
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 ECAD 1908年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） AT25020 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 3 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
47L16-E/P Microchip Technology 47L16-E/p 1.1700
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 47L16 eeprom、sram 2.7V〜3.6V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 1 MHz 不揮発性 16kbit 400 ns イーラム 2k x 8 i²c 1ms
AT49F512-90TC Microchip Technology AT49F512-90TC -
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49F512 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT49F51290TC ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 512kbit 90 ns フラッシュ 64k x 8 平行 50µs
980000460 Infineon Technologies 980000460 -
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 ECAD 7272 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 前回購入します - 1
CY7C1460SV33-200AXC Infineon Technologies Cy7C1460SV33-200AXC 51.5200
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 ECAD 277 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1460 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy7c1460Sv33 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 36mbit 3.2 ns sram 1m x 36 平行 -
MT40A1G16KNR-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075：E TR 21.7650
RFQ
 ECAD 4381 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G16KNR-075：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
IS25WP032D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-RMLE-TR 1.1017
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25WP032 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 32mbit 8 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 800µs
S25FL064P0XMFI001 Cypress Semiconductor Corp S25FL064P0XMFI001 3.1300
RFQ
 ECAD 1588 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-p チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3A991B1A 8542.32.0071 160 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
25LC160D-I/ST Microchip Technology 25LC160D-I/ST 0.8000
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 25LC160 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
AT29BV020-15TI Microchip Technology AT29BV020-15TI -
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT29BV020 フラッシュ 2.7V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 2mbit 150 ns フラッシュ 256k x 8 平行 20ms
7142SA55CB Renesas Electronics America Inc 7142SA55CB -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 48-dip（0.600 "、15.24mm） 7142SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48サイドろう付け ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 8 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
71321LA35PF8 Renesas Electronics America Inc 71321LA35PF8 -
RFQ
 ECAD 9087 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71321LA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
71256SA25TP IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA25TP -
RFQ
 ECAD 1380 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.300 "、7.62mm） 71256SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 25 ns sram 32k x 8 平行 25ns
W25Q128FWPBQ Winbond Electronics W25Q128FWPBQ -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128FWPBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
AT25DF041B-MAHNHR-T Adesto Technologies AT25DF041B-MAHNHR-T 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT25DF041 フラッシュ 1.7V〜3.6V 8-udfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 85 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 8µs、2.5ms
R1LV1616RBG-7SR#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV1616RBG-7SR＃S0 -
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFBGA R1LV1616R sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA （7.5x8.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 70 ns sram 1m x 16 平行 70ns
709279S15PF Renesas Electronics America Inc 709279S15PF -
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 709279S sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 512kbit 15 ns sram 32k x 16 平行 -
MX35LF4GE4AD-XDI Macronix MX35LF4GE4AD-XDI 4.4555
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 マクロニックス MX35LF トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-TBGA 、CSPBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-cspbga - 3 （168 時間） 1092-MX35LF4GE4AD-XDI 480 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 1g x 4 spi 800µs
70V24S35J8 Renesas Electronics America Inc 70V24S35J8 -
RFQ
 ECAD 6500 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-LCC 70V24S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 84-PLCC （29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 200 揮発性 64kbit 35 ns sram 4k x 16 平行 35ns
GD25LE16E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16E3IGR 0.6261
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wlcsp ダウンロード 1970-GD25LE16E3IGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
CY7C1470BV25-250AXC Infineon Technologies CY7C1470BV25-250AXC 172.4800
RFQ
 ECAD 3469 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1470 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 揮発性 72mbit 3 ns sram 2m x 36 平行 -
AS4C64M16D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12bin -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA（13x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1112 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
DS1330ABP-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1330ABP-100+ -
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 34-POWERCAP™モジュール DS1330AB nvsram （不揮発性 sram） 4.75v〜5.25V 34-POWERCAPモジュール ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 不揮発性 256kbit 100 ns nvsram 32k x 8 平行 100ns
AT49F002NT-12TC Microchip Technology AT49F002NT-12TC -
RFQ
 ECAD 5823 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49F002 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT49F002NT12TC ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 2mbit 120 ns フラッシュ 256k x 8 平行 50µs
CY7C1270KV18-400BZC Infineon Technologies Cy7C1270KV18-400BZC -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1270 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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