画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT62F768M64D4BG-031 WT:a | - | ![]() | 2478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-031WT:a | 廃止 | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
![]() | 71421LA55JI8 | - | ![]() | 2243 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-lcc | 71421LA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 2266-71421la55ji8 | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | W25M02GVSFIR | - | ![]() | 9101 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVSFIR | 廃止 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J | - | ![]() | 8869 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | mt29vzzzbd8 | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.G8J | 廃止 | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | IS34ML04G084-TLI-TR | 8.4321 | ![]() | 8452 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS34ML04 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | |||
IS46DR16160B-25DBLA2-TR | 6.4500 | ![]() | 9956 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 400 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S-93C86BD4I-J8T1G | 0.3727 | ![]() | 2471 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | S-93C86 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 1k x 16 | マイクロワイヤ | 4ms | ||||
![]() | 25AA010AT-I/MS | 0.5550 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 25AA010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | 93C56AT-I/SN | 0.3450 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C56A | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93C56AT-I/SN-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | マイクロワイヤ | 2ms | ||
![]() | R1LV3216RSD-5SR #B0 | 71.8800 | ![]() | 672 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
CAT93C56VI-1.8TE13 | - | ![]() | 7275 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | - | ||||
![]() | NDS76PT5-16ET TR | 2.0259 | ![]() | 9344 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS76PT5-16ETTR | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | ドラム | 4m x 32 | lvttl | - | ||||||||
![]() | IS25WP064D-JBLA3-TR | 1.5646 | ![]() | 4664 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP064D-JBLA3-TR | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | |||||
![]() | MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L | 2.6600 | ![]() | 3972 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F2G01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
![]() | SM671PAE-AFSS | - | ![]() | 8005 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PAE-AFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||||
R1LP0108ESF-7SR #S0 | - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | R1LP0108 | sram | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 70 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | AT25020-10PC-2.7 | - | ![]() | 1908年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25020 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | spi | 5ms | |||
47L16-E/p | 1.1700 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 47L16 | eeprom、sram | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 400 ns | イーラム | 2k x 8 | i²c | 1ms | |||
![]() | AT49F512-90TC | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49F512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT49F51290TC | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 50µs | ||
![]() | 980000460 | - | ![]() | 7272 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1460SV33-200AXC | 51.5200 | ![]() | 277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1460 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1460Sv33 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.2 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |
MT40A1G16KNR-075:E TR | 21.7650 | ![]() | 4381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT40A1G16KNR-075:ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS25WP032D-RMLE-TR | 1.1017 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25WP032 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | S25FL064P0XMFI001 | 3.1300 | ![]() | 1588 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-p | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | |||||
25LC160D-I/ST | 0.8000 | ![]() | 6854 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC160 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | AT29BV020-15TI | - | ![]() | 7230 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT29BV020 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 150 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 20ms | |||
7142SA55CB | - | ![]() | 5316 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7142SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 8 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 71321LA35PF8 | - | ![]() | 9087 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71321LA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | 71256SA25TP | - | ![]() | 1380 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.300 "、7.62mm) | 71256SA | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||
W25Q128FWPBQ | - | ![]() | 8061 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FWPBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms |
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