画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | プログラム可能なタイプ | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CAT93C56L | - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | CAT93C56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | - | ||||||
![]() | 71321SA35TFG8 | - | ![]() | 6259 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71321SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | ||||||
![]() | IDT71V416VL15BE | - | ![]() | 5906 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | IDT71V416 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V416VL15BE | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | TC58BVG1S3HTAI0 | - | ![]() | 9391 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | TC58BVG1 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2Gbit | 25 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||||
![]() | Cy7C1051DV33-10ZSXI | - | ![]() | 3397 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1051 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
S25FL128LDPBHI020 | 2.4500 | ![]() | 429 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-l | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-S25FL128LDPBHI020 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 205 | 66 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | 確認されていません | |||||
![]() | Cy7C245-45pc | 7.7100 | ![]() | 798 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C245 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 45 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||||
M24C64-RDW6P | - | ![]() | 7767 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M24C64 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 450 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | Cy7C1263KV18-500BZXC | 72.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1263 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||||
![]() | IS29GL01GS-11DHB01 | - | ![]() | 2617 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | ||||||
![]() | AT27C512R-12pi | - | ![]() | 9690 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | AT27C512 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27C512R12PI | ear99 | 8542.32.0061 | 14 | 不揮発性 | 512kbit | 120 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | W29GL256SL9C | - | ![]() | 2529 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFBGA | W29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 不揮発性 | 256mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 90ns | ||||||
![]() | NSEC00K032-IT | 37.5000 | ![]() | 3490 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 100-lbga | NSEC00 | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 確認されていません | |||||||||||||||
![]() | MR4A16BYS35 | 41.3400 | ![]() | 974 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MR4A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 54-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 108 | 不揮発性 | 16mbit | 35 ns | ラム | 1m x 16 | 平行 | 35ns | ||||||
![]() | w25q256jwfiq tr | 2.4551 | ![]() | 3579 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||||
![]() | S25FL128P0XMFI011 | 3.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-p | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 95 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 3ms | 確認されていません | |||||||
![]() | N25Q128A11ESF40G | - | ![]() | 5355 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-1573-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
![]() | GD25LT256EYAGR | 5.8677 | ![]() | 2495 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LT256EYAGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 140µs、3ms | ||||||||||
![]() | Cy62128bnll-70Sxa | 4.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | Cy62128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 73 | 揮発性 | 1mbit | 70 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||||
![]() | S29GL032N11TFIV20 | 2.4500 | ![]() | 6450 | 0.00000000 | スパンション | gl-n | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL032 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 110ns | |||||||||
![]() | 5962-8700205TA | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-5962-8700205TA | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MX29F200CBTC-70G | - | ![]() | 7599 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29F | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 70ns | ||||||
![]() | MT47H16M16BG-5E:b | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 600 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | S29GL064N90FFI033 | - | ![]() | 4829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 90ns | ||||||
![]() | AS4C256M16D3C-12BCNTR | 11.3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C256M16D3C-12BCNDKR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
M95640-WDW6TP | 0.5400 | ![]() | 9046 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M95640 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | |||||||
![]() | CY7C1564XV18-450BZXC | 225.3700 | ![]() | 213 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1564 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 1 | 450 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||||
![]() | AT28HC64B-12SA | - | ![]() | 7971 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | AT28HC64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 27 | 不揮発性 | 64kbit | 120 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | ||||||
![]() | MX25L12865EMI-10G | 2.4358 | ![]() | 1662 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MX25L12865 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 300μs5ms | ||||||
![]() | XC18V02PC44I | - | ![]() | 9802 | 0.00000000 | AMD | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 44-lcc | XC18V02 | 確認されていません | 3V〜3.6V | 44-PLCC(16.59x16.59) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 26 | プログラム可能なシステムで | 2MB |
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