画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RS3KC-HF | 0.1426 | ![]() | 6814 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | rs3k | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-RS3KC-HFTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBR4045wt | - | ![]() | 9438 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | MBR4045 | ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 700 mV @ 20 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | 1N4737A | 0.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±0.5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-1N4737A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1SMB2EZ30_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 743 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB2 | 2 W | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 22.5 v | 30 V | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT5934BE3/TR7 | 0.7050 | ![]() | 9730 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5934 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52C39LP-7 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | BZT52 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||
![]() | TZX8V2C-TR | 0.2300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX8V2 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.2 v | 8.2 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84B43Q-7-F | 0.0382 | ![]() | 2436 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | BZX84 | - | 影響を受けていない | 31-BZX84B43Q-7-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V3SQ | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C3V3SQTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | v10pm15hm3/i | 0.3201 | ![]() | 4704 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10pm15 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.08 V @ 10 a | 200 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | 10a | 680pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX55B30 | 0.0301 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B30TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||||
![]() | GBJ606 | 0.7500 | ![]() | 7767 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 750 | 1 V @ 3 a | 5 µA @ 600 v | 6 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
![]() | BZX79C11 | 0.0287 | ![]() | 7043 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79C11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | SMBG5386C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 9678 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5386 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430オーム | |||||||||||||
![]() | BZX384-A4V7-QX | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | BZX55B8V2-TR | 0.2200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B8V2 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5251B-TAP | 0.2300 | ![]() | 1858年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5251 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||
![]() | 1N1354A | 44.3850 | ![]() | 3432 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | スタッドマウント | do-203aa | 1N135 | 10 W | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-1N1354A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 13 v | 2オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZT55B39 | 0.0389 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B39TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | ||||||||||||||
SS13LSH | 0.0712 | ![]() | 4141 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | SS13 | ショットキー | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ss13lshtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | jan1n4972cus/tr | 21.3150 | ![]() | 8822 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4972cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 v | 39 v | 14オーム | ||||||||||||||||
![]() | UF158G_R2_00001 | 0.0567 | ![]() | 2102 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | UF158 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 60,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1.5 a | 100 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5934BPE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5934 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | MM3Z10B | 0.0317 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MM3Z10BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100 Na @ 7 V | 10 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n4124ur-1 | 9.4950 | ![]() | 4217 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4124 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 32.7 v | 43 v | 250オーム | |||||||||||||
BZX84-B8V2-QR | 0.0400 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-B8V2-QRTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | MBRB41 | ショットキー | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 800 mV @ 20 a | 10 µA @ 100 V | 175°C (最大) | ||||||||||||
![]() | SMBZ5924B-E3/52 | 0.2617 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5924 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 25 µA @ 7 V | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84J-B2V7,115 | 0.3600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZX84J-B2V7 | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | VBO125-08NO7 | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | PWS-C | VBO125 | 標準 | PWS-C | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.07 V @ 50 a | 200 µA @ 800 V | 124 a | 単相 | 800 V |
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