画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDBJCSC20650-G | - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 641-CDBJCSC20650-G | 廃止 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 20a | 1170pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | S1KBHR5G | - | ![]() | 1950年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S1K | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N3289A | 15.5000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | DO-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3289A | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 100a | - | |||||||||||||
![]() | mur310sh | 0.2277 | ![]() | 9206 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 3 a | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | B0540W-7-F-2-2477 | - | ![]() | 2037 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | - | 31-B0540W-7-F-2-2477 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 510 mv @ 500 Ma | 20 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 500mA | 170pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX55B24 | 0.0301 | ![]() | 2480 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B24TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | S4J R6 | - | ![]() | 8412 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S4Jr6tr | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 4a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84C3V6Q | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX84C3V6QTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V6T1G | 0.1500 | ![]() | 126 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MM3Z3 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||
![]() | SM165KJ800G2 | 50.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | SM165KJ | 標準 | T2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 800 V | 165a | 1.25 V @ 165 a | 20 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | V40D60C-M3/i | 1.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V40D60 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 620 mv @ 20 a | 4 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | ES5G-T | 0.2874 | ![]() | 8644 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ES5G-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 5a | 123pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MBRS1645 | 0.6433 | ![]() | 4025 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1645 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1645TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 16 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||||||||||
![]() | DZ23C9V1Q | 0.0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-DZ23C9V1QTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS1100-7-2477 | - | ![]() | 8787 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | Powerdi®123 | ショットキー | Powerdi™123 | - | 31-DFLS1100-7-2477 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 770 mV @ 1 a | 350 NA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1a | 36pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FFSB0665B | 3.0100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FFSB0665 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d²pak-2(to-263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 259pf @ 1V 、100kHz | |||||||||||||
SBYV28-150-E3/73 | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SBYV28 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.1 V @ 3.5 a | 20 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 3.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | Hzu3.9b2jtrf-e | 0.1000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B15P-M3-08 | 0.4200 | ![]() | 6689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | 1n6019ur/tr | 3.7350 | ![]() | 2650 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6019ur/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 62 v | |||||||||||||||||||
![]() | AZ23C14_R1_00001 | 0.0297 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C14 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 10.5 v | 14 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | SR505H | - | ![]() | 7970 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR505HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||
![]() | 1n6636us/tr | 13.8400 | ![]() | 8575 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 20 µA @ 1 V | 4.7 v | 2オーム | ||||||||||||||||||
![]() | janhcb1n6642 | 4.0166 | ![]() | 7995 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/394 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | d 、軸 | 標準 | D-5d | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhcb1n6642 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SD103CWS-E3-08 | 0.3800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | SD103 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 350ma | 50pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SBRS5641T3G-VF01 | - | ![]() | 2307 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SBRS5641 | ショットキー | SMB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-SBRS5641T3G-VF01TR | 2,500 | - | - | - | - | |||||||||||||||||
VSIB2560-E3/45 | - | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | VSIB2560 | 標準 | GSIB-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 600 V | 3.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
![]() | RKZ27AKU #P6 | 0.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll4473/tr | 11.7300 | ![]() | 7778 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.5 w | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-cdll4473/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 17.6 v | 22 v | 14オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX884S-B24IL | - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2.08% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム |
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