画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5930C | 6.0300 | ![]() | 7162 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5930 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | jan1n966666bur-1/tr | 4.0831 | ![]() | 4556 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JAN1N966666666666666666666666666666666666666 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | BZD17C100PH | 0.3773 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C100PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||
![]() | 1N6023UR-1 | 3.5850 | ![]() | 8906 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 1N6023 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | PDA9T9G00612 | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | バルク | アクティブ | PDA9T9 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 10 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S1FLG-GS08 | 0.3400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1F | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | ZMC75 | 0.0580 | ![]() | 9240 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMC75TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 Na @ 56 v | 75 v | 250オーム | ||||||||||||||
![]() | VBO52-16NO7 | 36.4220 | ![]() | 3181 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | PWS-D | VBO52 | 標準 | PWS-D | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.8 V @ 150 a | 300 µA @ 1600 V | 52 a | 単相 | 1.6 kV | |||||||||||
![]() | SFT11G | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | 標準 | TS-1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFT11GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SMA3EZ6.2D5-TP | - | ![]() | 9042 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMA3EZ6.2 | 3 W | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 353-SMA3EZ6.2D5-TPTR | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 1.5オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n748aur-1 | - | ![]() | 5766 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n5822us | - | ![]() | 2757 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/620 | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | sq-melf | ショットキー | - | ダウンロード | 600-JAN1N5822US | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | SBRD8835LG | - | ![]() | 7389 | 0.00000000 | onsemi | Automotive、AEC-Q101 、SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | SBRD8835 | ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 35 v | 510 mv @ 8 a | 1.4 mA @ 35 v | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
RS1DL RTG | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 2EZ7.5DE3/TR12 | - | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ7.5 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 7.5 v | 2オーム | |||||||||||
![]() | BAT82S-TAP | 0.0429 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAT82 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125°C (最大) | 30ma | 1.6pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
CBRHD-02 TR13 PBFREE | 0.6100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | CBRHD-02 | 標準 | 4-HDディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 200 V | 500 Ma | 単相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | 1N3087R | 134.4000 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-1N3087R | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C10-HM3-08 | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzg05c-m | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C10 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 10 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | ZMD6.2 | 0.1260 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1 W | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-Zmd6.2tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 1 µA @ 1.5 v | 6.2 v | 4.8オーム | ||||||||||||||
![]() | SBR2A40SA-13 | 0.1523 | ![]() | 4690 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SBR2A40 | スーパーバリア | SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 40 v | 550 mv @ 2 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | MBRH15045RL | - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67 | ショットキー、逆極性 | D-67 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 600 mV @ 150 a | 5 ma @ 45 v | 150a | - | ||||||||||||||
![]() | FFSP0665B | 2.9500 | ![]() | 930 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FFSP0665 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-FFSP0665B | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 259pf @ 1V 、100kHz | ||||||||
![]() | SB140S | 0.0463 | ![]() | 35 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | ショットキー | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-SB140STR | 8541.10.0000 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 1 MA @ 40 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | uft800g | 0.7084 | ![]() | 2746 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-UFT800G | 8541.10.0000 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n5196 | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/118 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5196 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 225 v | 1 V @ 100 MA | 1 µA @ 250 v | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||
jans1n5809urs | 147.4800 | ![]() | 4456 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||||
![]() | CZRER11VB-HF | - | ![]() | 9863 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 0503(1308 メトリック) | 150 MW | 0503/SOD-723F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8.4 v | 11 v | 18オーム | ||||||||||||
![]() | Jan1n985cur-1 | 11.3850 | ![]() | 5040 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N985 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 76 v | 100 V | 500オーム | |||||||||||
![]() | MUR60120B-BP | 5.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | MUR60120 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-MUR60120B-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 60 a | 85 ns | 15 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 60a | - |
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