画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZPD3.9 | 0.0211 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-ZPD3.9TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 3.9 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | BAP50-04W 、115 | 0.1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 2-SMD 、リードなし | CS300 | - | 2156-BAP50-04W 、115 | 2,645 | 50 Ma | 240 MW | 0.5pf @ 5V、1MHz | ピン -シングル | 50V | 5OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MADP-007448-0287BT | 1.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | SMPP | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | TO-236-3 | MADP-007448 | SOT-23 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0060 | 3,000 | 150 Ma | 250 MW | 0.25pf @ 50V、1MHz | ピン-1ペアシリーズ接続 | 100V | 2OHM @ 10MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | KBP104G C2G | - | ![]() | 6646 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 1 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||||||
![]() | KMB23S | 0.4700 | ![]() | 112 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | KMB23 | ショットキー | MBS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 550 mv @ 2 a | 100 µA @ 30 V | 2 a | 単相 | 30 V | |||||||||||||||||
![]() | MSAD120-16 | - | ![]() | 8247 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D1 | 標準 | D1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 1600 v | 120a | 1.43 V @ 300 a | 6 MA @ 1600 v | |||||||||||||||||||
![]() | MM3Z36VST1G | 0.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MM3Z36 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | |||||||||||||||||
![]() | DZ9F11S92-7 | 0.0284 | ![]() | 6964 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-923 | DZ9F11 | 200 MW | SOD-923 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | KBPC3504 | 1.4930 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | KBPC35 | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | シャーシマウント | 4 平方、KBPC | 標準 | KBPC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-KBPC3504 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||||
![]() | DZ23C16-TP | 0.0474 | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23C16 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-DZ23C16-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通カソード | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||||||
![]() | MBR1635CT-BP | 0.3254 | ![]() | 6772 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-3 | MBR1635 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 353-MBR1635CT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 16a | 700 mV @ 8 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||
![]() | jans1n4465cus/tr | 237.9300 | ![]() | 2752 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jans1n4465cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 300 na @ 8 v | 10 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||
BZX84-C20-QVL | 0.0250 | ![]() | 9652 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-C20-QVLTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||||||
![]() | RB720M-30_R1_00001 | 0.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-923 | RB720M | ショットキー | SOD-923 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-RB720M-30_R1_00001TR | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 350 mv @ 10 ma | 500 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 100mA | - | |||||||||||||||
![]() | ntsj30120ctg | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | NTSJ30 | ショットキー | TO-220-2フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 15a | 1.08 V @ 15 a | 800 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | VS-80-7031 | - | ![]() | 5259 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7031 | - | 112-VS-80-7031 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-403TTE61 | - | ![]() | 6340 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | RB521 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RB521S-403TTE61TR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
GSIB660N-M3/45 | 1.5423 | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB660 | 標準 | GSIB-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 950 mv @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 6 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||
![]() | SK29A | 0.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||
MMBZ5240B-G3-08 | - | ![]() | 8077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5240 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | |||||||||||||||||||
![]() | S3620 | 61.1550 | ![]() | 3576 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-203ab(do-5) | - | 影響を受けていない | 150-S3620 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 70a | - | ||||||||||||||||||
![]() | SF1008GHC0G | - | ![]() | 7933 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF1008 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SDB155-TP | 0.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | SDB155 | 標準 | SDB-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1.5 a | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | SZMM3Z75VT1GX | 0.2700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | ||||||||||||||||||
![]() | RHRG5040 | 2.2700 | ![]() | 9833 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 雪崩 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 400 V | 2.1 V @ 50 a | 50 ns | 500 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 50a | - | ||||||||||||||||
![]() | TZMB4V3-GS18 | 0.0411 | ![]() | 6353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB4v3 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N5231B | 0.0271 | ![]() | 2113 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5231 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5231BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17オーム | |||||||||||||||||
![]() | EGP30CHE3/73 | - | ![]() | 4255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | EGP30 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
![]() | MBRF7H45-E3/45 | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | MBRF7 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 45 v | -65°C〜150°C | 7.5a | - | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 9341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C5V6 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 10オーム |
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