画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBJ610 | 0.2670 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-KBJ610 | ear99 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n758c-1 | 12.9750 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N758 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | |||||||||||
![]() | BZX584B11 rkg | - | ![]() | 3346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||
![]() | RD20E-TB-AZ | 0.0600 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
BZX84-B3V0-QR | 0.0400 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-B3V0-QRTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | jantxv1n5545dur-1/tr | 55.0221 | ![]() | 4796 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5545dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 27 V | 30 V | 100オーム | |||||||||||
![]() | MBRD340RL | - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | MBRD340 | ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 3 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||||||
JAN1N4574A-1 | 29.1000 | ![]() | 1735 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4574 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ4716T1 | - | ![]() | 9047 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ47 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 Na @ 29.6 v | 39 v | |||||||||||
1N5946B BK | - | ![]() | 3649 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | ||||||||||||||
![]() | jans1n4980 | 80.1900 | ![]() | 3322 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 5 W | b 、軸 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 62.2 v | 82 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n3032d-1/tr | 24.4853 | ![]() | 3784 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3032d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | jantx1n4614cur-1/tr | - | ![]() | 4181 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n4614cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200オーム | ||||||||||||
![]() | BZS55B22 RXG | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | ||||||||||
![]() | 1N3309B | 6.9500 | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3309 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3309B | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 6.7 v | 10 v | 0.6オーム | |||||||||
![]() | BZX584B15V | 0.0200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX584B15VTR | ear99 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C56S | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C56STR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5264B-7 | - | ![]() | 1034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ZMM5264B-7GI | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | ||||||||||
MMBZ5230B-7 | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5230B | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19オーム | |||||||||||
![]() | GBU408 | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | グッドアーク半導体 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 4786-GBU408 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | ||||||||||
![]() | 3SMAJ5917B-TP | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 3SMAJ5917 | 3 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 5オーム | ||||||||||
MMBZ4684-G3-18 | - | ![]() | 1261 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4684 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | |||||||||||||
DDZX9V1C-7 | 0.0483 | ![]() | 4611 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DDZX9 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 8オーム | |||||||||||
![]() | MB3510W | - | ![]() | 3677 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 平方メートル、MB-35W | MB3510 | 標準 | MB-35W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MB3510WMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 1000 v | 35 a | 単相 | 1 kV | |||||||||
![]() | VS-GBPC3506W | 7.3200 | ![]() | 8495 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | VS-GBPC | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC3506 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 MA @ 600 v | 35 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
![]() | NZ9F3V0T5G | - | ![]() | 5699 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-923 | NZ9F | 250 MW | SOD-923 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 100オーム | ||||||||||
![]() | SMBZ5925B-E3/5B | 0.1676 | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5925 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 mA | 25 µa @ 8 V | 10 v | 4.5オーム | ||||||||||
MMBZ4699-HE3-18 | - | ![]() | 2805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4699 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 9.1 v | 12 v | |||||||||||||
![]() | MMBZ5248BLT3G | 0.1400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5248 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | ||||||||||
![]() | 1N5227DUR-1 | 7.1700 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-1N5227DUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム |
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