画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TZX4V3B-TAP | 0.0290 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX4V3 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.3 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | cdll935/tr | 4.2600 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 0°C〜75°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll935/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | ZMD33B | 0.1011 | ![]() | 3935 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1 W | DO-213AA 、ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMD33BTR | 8541.10.0000 | 2,500 | 500 NA @ 22 V | 33 v | 40オーム | ||||||||||||||||
![]() | VSS8D5M15-M3/h | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S8D5 | ショットキー | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 790 mV @ 2.5 a | 180 µA @ 150 v | -40°C〜175°C | 2a | 300pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
Jan1N4626-1 | - | ![]() | 7997 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n4969us | - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 1N4969 | 5 W | - | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | |||||||||||||||||
![]() | SK12B | - | ![]() | 1979年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SK12BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5934CE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5934 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | MSASC75W100FV | - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™4 | ショットキー | Thinkey™4 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 920 mv @ 75 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 75a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N6024UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 9963 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 100 V | |||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5240BV_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 8309 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MMBZ5240 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | cdll5522d/tr | 16.3950 | ![]() | 8885 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5522d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N4469 | - | ![]() | 4094 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | 軸 | ダウンロード | 600-jantx1n4469 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 na @ 12 v | 15 V | 9オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7S | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C4V7STR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||
jantx1n4957 | 7.2150 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4957 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n4480/tr | 13.1250 | ![]() | 7759 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4480/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 119 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 34.4 v | 43 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5934B | 3.0300 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5934 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5934BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | 1n5994d/tr | 4.7747 | ![]() | 3192 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5994D/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3 V | 5.6 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | ugjl2030cth-bp | 0.6994 | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | UGJL2030 | 標準 | TO-262 | ダウンロード | 353-ugjl2030cth-bp | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 20a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | jantx1n6342dus | 57.9000 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6342dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 43 v | 56 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | DSA35-16A | - | ![]() | 9265 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | DSA35 | 雪崩 | do-203ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DSA3516A | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.55 V @ 150 a | 4ma @ 1600 v | -40°C〜180°C | 49a | - | |||||||||||
![]() | VS-VSKCS440/030 | 52.4760 | ![]() | 8330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKCS440 | ショットキー | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKCS440030 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 220A | 680 mV @ 220 a | 20 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-3C04ET07T-M3 | 2.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-3C04ET07T-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 175pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | S1FLB-GS08 | 0.3400 | ![]() | 264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1F | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N3975 | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準 | DO-8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3975 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.2 V @ 200 a | 50 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 100a | - | ||||||||||||
![]() | 1N1196 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N1196 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | 40a | - | ||||||||||||
![]() | MB18M-BP | - | ![]() | 4776 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | 4-dip (0.200 "、5.08mm) | MB18 | ショットキー | MB-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 850 mv @ 1 a | 500 NA @ 80 V | 1 a | 単相 | 80 v | ||||||||||||||
![]() | GBL08-G | 0.7662 | ![]() | 7857 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBL08 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 10 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | MMSZ5248b | 0.0433 | ![]() | 7354 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MMSZ5248btr | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | |||||||||||||
Jan1n4128-1/tr | 3.7772 | ![]() | 4420 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4128-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 45.6 v | 60 V | 400オーム |
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