| 画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZW03D39-TR | - | ![]() | 6896 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 28 V | 39 v | 14オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n4101cur-1/tr | 91.5802 | ![]() | 4085 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4101cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.3 v | 8.2 v | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX84B5V6 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX84B5V6TR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||
| Jan1n4961c | 14.9250 | ![]() | 5389 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4961 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | CEFM104-G | 0.4500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123T | CEFM104 | 標準 | sma/SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
| jantxv1n5539c-1/tr | 20.8544 | ![]() | 1856年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5539c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | 3EZ7.5D5-TP | 0.1020 | ![]() | 5917 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3EZ7.5 | 3 W | DO-15 | ダウンロード | 353-3EZ7.5D5-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 5 V | 7.5 v | 2オーム | |||||||||||||||
| jantxv1n4969c | 22000 | ![]() | 4986 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4969c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 22.8 v | 30 V | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | cdll4752/tr | 3.2319 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4752/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||||||
| BZD27C160P RFG | - | ![]() | 3225 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 120 v | 162 v | 350オーム | ||||||||||||||
![]() | 3N256-E4/45 | - | ![]() | 3995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3N256 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 400 V | 2 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | SBRT3U40P1-7-52 | 0.0824 | ![]() | 9607 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | Powerdi®123 | SBRT3 | スーパーバリア | Powerdi™123 | ダウンロード | 31-SBRT3U40P1-7-52 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 40 v | 490 mV @ 3 a | 180 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4755PE3/TR8 | - | ![]() | 3318 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4755 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | 1SS400FHTE61 | - | ![]() | 5577 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-1SS400FHTE61TR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5996B | 2.0000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | 2M51ZHA0G | - | ![]() | 6540 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M51 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 48オーム | ||||||||||||||
![]() | PZM27NB 、115 | - | ![]() | 5799 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM27 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 Na @ 21 V | 27 v | 40オーム | |||||||||||||
| jantxv1n6325us | 28.8900 | ![]() | 7212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6325 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8.5 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRF1560CT | 0.5429 | ![]() | 8508 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF1560 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 750 mV @ 7.5 a | 300 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | GBU8M-E3/51 | 2.1400 | ![]() | 734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU8 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 1000 v | 3.9 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
| Jan1n6341d | 49.5300 | ![]() | 3276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6341d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 39 v | 51 v | 85オーム | ||||||||||||||||
| baw56wtq | 0.0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BAW56WTQTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll4112/tr | 3.4048 | ![]() | 7077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4112/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13.7 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||||
| jantxv1n6329us | - | ![]() | 1921年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 16 v | 12オーム | |||||||||||||||
![]() | 3EZ18_R2_00001 | 0.1080 | ![]() | 5953 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 3EZ18 | 3 W | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-3EZ18_R2_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 28,000 | 500 NA @ 13.7 v | 18 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | SML4752A-E3/61 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4752 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n3996ra | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 1 V | 5.1 v | 1.1オーム | |||||||||||||||
![]() | BZV55-C7V5,115 | 0.2100 | ![]() | 819 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55-C7V5 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | |||||||||||||
| BAS116Q-13-F | 0.0337 | ![]() | 1806 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS116 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-BAS116Q-13-FTR | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 85 v | 1.25 V @ 150 MA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65°C〜150°C | 215ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
| Jan1n3045c-1 | 17.3250 | ![]() | 8810 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3045 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 83.6 v | 110 v | 450オーム |

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