画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5527D | 14.4450 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5527D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5352 | 0.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 1PGSMC53 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 11.5 v | 15 V | 3オーム | ||||||||||||
BAS581-02V-HG3-08 | 0.0536 | ![]() | 6081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | ショットキー | SOD-523 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-BAS581-02V-HG3-08TR | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 370 mV @ 1 Ma | 500 NA @ 30 V | 125°C | 30ma | 2PF @ 1V 、1MHz | ||||||||||||
![]() | PZ1AL15B-AU_R1_000A1 | 0.0756 | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | PZ1AL15 | 1 W | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 567,000 | 1 µA @ 11 v | 15 V | 12オーム | ||||||||||||
![]() | MTZJ20SC | 0.0305 | ![]() | 5280 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj20 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ20SCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 15 V | 19.73 v | 55オーム | ||||||||||||
ES1BHM2G | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1B | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 16pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N6544/tr | 11.9400 | ![]() | 7375 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6544/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03B18-M3-08 | 0.2228 | ![]() | 1785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B18 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 13 V | 18 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | se10djhm3/i | 0.3960 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SE10 | 標準 | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 3a | 67pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SS34FA | 0.4700 | ![]() | 92 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | SS34 | ショットキー | SOD-123FA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 3a | 170pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GS3KB | 0.2800 | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | TLZ10C-GS08 | 0.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ10 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 Na @ 9.22 v | 10 v | 8オーム | |||||||||||
![]() | 25CTQ035S | 1.2900 | ![]() | 291 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 25ctq | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | ZY120 | 0.0986 | ![]() | 30 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | 2 W | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-ZY120TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 60 V | 120 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | MBR890-BP | 0.2988 | ![]() | 8987 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MBR890 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 353-MBR890-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 8 a | 150 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 8a | 280pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-HFA04TB60STRRP | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | HFA04 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 4 a | 42 ns | 3 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 4a | - | |||||||||
![]() | 1N4475US | 11.3550 | ![]() | 5310 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4475 | 1.5 w | a sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4475USMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 21.6 v | 27 v | 18オーム | |||||||||||
![]() | VS-12CDU06-M3/i | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 12CDU06 | 標準 | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 6a | 1.3 V @ 6 a | 65 ns | 5 µA @ 600 v | 175°C (最大) | |||||||||
jantx1n4495c | 33.2550 | ![]() | 3416 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4495 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 250 Na @ 144 v | 180 v | 1300オーム | ||||||||||||
![]() | CDLL4731C | 5.2950 | ![]() | 1051 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4731C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | MBR3045CT_T0_00001 | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR3045 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3757-MBR3045CT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 700 mV @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | NZD4V7MUT5G | 0.0348 | ![]() | 4471 | 0.00000000 | onsemi | NZD5V1MU | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0201 (0603 メトリック) | 200 MW | 2-X3DFN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NZD4V7MUT5GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 10 MA | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 100オーム | |||||||||||
BZX84-C16,215 | 0.1600 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C16 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | SMAJ4752CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 3263 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4752 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | jantxv1n4107ur-1 | 11.8350 | ![]() | 4678 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4107 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 13 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | CD6761 | 14.1600 | ![]() | 1622 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/586 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | ショットキー | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6761 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 750 mv @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | PCDP0865G1_T0_00001 | 6.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | PCDP0865 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3757-PCDP0865G1_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 296pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | VS-S1283 | - | ![]() | 5966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1283 | - | 112-VS-S1283 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VT1080C-E3/4W | 0.5409 | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | VT1080 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VT1080CE34W | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 5a | 720 mv @ 5 a | 400 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | BAV199/ZL215 | 1.0000 | ![]() | 9120 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 |
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