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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
EGP30J	0.6300	RFQ	73	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	EGP30	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,250	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V、1MHz
BZT52-C4V7-QX	0.0370	RFQ	3656	Nexperia USA Inc.	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.38％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123	BZT52		350 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠			1727-BZT52-C4V7-QXTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V						4.7 v	78オーム
PDZ22B 、135	0.2100	RFQ	8996	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323	PDZ22		400 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 17 V						22 v	25オーム
G5SBA80-M3/51	1.0096	RFQ	4161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G5SBA80	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250					1.05 V @ 3 a		5 µA @ 800 V		2.8 a		単相	800 V
STTH30R04G	2.9000	RFQ	500	stmicroelectronics	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	stth30	標準		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		400 V		1.45 V @ 30 a	100 ns	15 µA @ 400 V	-40°C〜175°C	30a	-
S3A-E3/9AT	0.1539	RFQ	6177	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3a	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns		50 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
MMBD2838LT1G	0.1700	RFQ	22	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	MMBD2838	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	50 v	100mA	1.2 V @ 100 MA	4 ns	100 Na @ 50 V	-55°C〜150°C
MMSZ5267B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	9023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5267B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 56 v						75 v	270オーム
MBR20200CT-Y	0.5404	RFQ	7539	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR20200	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBR20200CT-Y	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	20a	700 mV @ 20 a		100 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
VS-20L15TS-M3	1.6700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20L15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		15 V		410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	2000pf @ 5V、1MHz
cdll967b/tr	2.3142	RFQ	4428	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll967b/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 14 V						18 v	21オーム
CD5361B	5.0274	RFQ	4972	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	表面マウント	死ぬ			5 W	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5361B	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		500 NA @ 20.6 v						27 v	5オーム
BZX84C15LT3G	0.1500	RFQ	4605	onsemi	BZX84CXXXLT1G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C15		225 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.5 v						15 V	30オーム
1N3984	53.5950	RFQ	4107	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-203aa	-			影響を受けていない	150-1N3984	ear99	8541.10.0050	1													5.5 v	0.7オーム
V2F22-M3/h	0.4500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		200 v		870 mV @ 2 a		60 µa @ 200 v	-40°C〜175°C	2a	160pf @ 4V、1MHz
1N4565A-1E3	3.4050	RFQ	5763	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4565		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													6.4 v	200オーム
GBU6A-M3/45	1.2844	RFQ	7028	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800					1 V @ 6 a		5 µA @ 50 V		3.8 a		単相	50 v
jans1n6490us	-	RFQ	7647	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		1 µA @ 1 V						5.1 v	7オーム
GBU8A-M3/51	1.1425	RFQ	5888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250					1 V @ 8 a		5 µA @ 50 V		3.9 a		単相	50 v
jantx1n4982	9.7500	RFQ	9033	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4982		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 76 v						100 V	110オーム
PT800D-CT	1.2563	RFQ	2482	diotec半導体	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	PT800D	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2721-PT800D-CT		8541.10.0000	50	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 8 a		5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	8a	-
1N3985	53.5950	RFQ	6958	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-203aa	-			影響を受けていない	150-1N3985	ear99	8541.10.0050	1													6 v	0.7オーム
BZX84C5V6-HE3_A-08	0.0498	RFQ	2431	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84C5V6-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000							1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
AM01AV	-	RFQ	8765	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	軸	AM01	標準		-	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		AM01AV DK	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		980 mV @ 1 a		10 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	1a	-
SK82L-TP	0.1916	RFQ	5458	Micro Commercial Co	-	バルク	前回購入します			表面マウント	do-214ab 、mc	SK82	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード				353-SK82L-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		20 v		650 mv @ 8 a		1 mA @ 20 v	-55°C〜150°C	8a	400pf @ 4V、1MHz
BZV85-C75,113	0.3900	RFQ	3540	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZV85-C75		1.3 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1 V @ 50 mA		50 Na @ 53 v						75 v	225オーム
VS-40CTQ150-N3	-	RFQ	5399	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	40CTQ150	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-40CTQ150-N3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	20a	930 mv @ 40 a		50 µA @ 50 V	-55°C〜175°C
NTE5982	5.8200	RFQ	46	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	DO-203AA		標準		DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5982	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		100 V		1.3 V @ 40 a		15 mA @ 100 V	-65°C〜190°C	40a	-
S1JR2	-	RFQ	9207	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1J	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
Jan1n3821aur-1	13.8750	RFQ	2860	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3821		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3.3 v	10オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²