画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 現在 -平均修正( io) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS25P03G C2G | - | ![]() | 5212 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25P03 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 200 v | 25 a | 単相 | 200 v | ||||||
![]() | TS25P04G D2G | 1.1552 | ![]() | 7217 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25P04 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 400 V | 25 a | 単相 | 400 V | ||||||
![]() | TS25P05G C2G | - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 25 a | 単相 | 600 V | ||||||
![]() | TS25PL05G | 6.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS25PL05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 920 mv @ 12.5 a | 10 µA @ 600 V | 25 a | 単相 | 600 V | ||||||
![]() | TS40P05G C2G | - | ![]() | 3209 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS40P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 600 V | 40 a | 単相 | 600 V | ||||||
![]() | TS50P06GHC2G | - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS50P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 a | 単相 | 800 V | ||||||
![]() | TS8P04GH | - | ![]() | 7919 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS8P04 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 400 V | 8 a | 単相 | 400 V | ||||||
TSS4B03G C2G | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-4B | TSS4B03 | 標準 | TS4B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 a | 単相 | 200 v | |||||||
TSS4B03GHD2G | - | ![]() | 8319 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-4B | TSS4B03 | 標準 | TS4B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 a | 単相 | 200 v | |||||||
DBL205GH | 0.2874 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL205 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.15 V @ 2 a | 2 µA @ 600 V | 2 a | 単相 | 600 V | |||||||
![]() | DBL207GH | 0.2874 | ![]() | 8013 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | DBL207 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.15 V @ 2 a | 2 µA @ 1000 V | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||
DBLS102G C1G | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DBLS102 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 a | 2 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||
DBLS152G C1G | - | ![]() | 2547 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DBLS152 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | |||||||
DBLS155G C1G | - | ![]() | 4793 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DBLS155 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 a | 2 µA @ 600 V | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||
DBLS203G C1G | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DBLS203 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.15 V @ 2 a | 2 µA @ 200 v | 2 a | 単相 | 200 v | |||||||
GBL005 D2G | - | ![]() | 7572 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBL005 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 5 V | 4 a | 単相 | 50 v | |||||||
GBL06HD2G | - | ![]() | 7456 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBL06 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 600 v | 4 a | 単相 | 600 V | |||||||
GBL08HD2G | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBL08 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | |||||||
GBLA04 | - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBLA04 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 a | 単相 | 400 V | |||||||
![]() | GBU1001HD2G | - | ![]() | 1281 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU1001 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 10 a | 5 µA @ 50 V | 10 a | 単相 | 50 v | ||||||
![]() | GBU401HD2G | - | ![]() | 6141 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU401 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 a | 単相 | 50 v | ||||||
![]() | GBU805H | 0.8550 | ![]() | 6497 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU805 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 a | 5 µA @ 600 v | 8 a | 単相 | 600 V | ||||||
![]() | HDBL105G | 0.3999 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | HDBL105 | 標準 | dbl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.7 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 1 a | 単相 | 600 V | ||||||
HDBLS102G C1G | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | HDBLS102 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||
YBS2206G | 0.9300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、フラットリード | YBS2206 | 標準 | YBS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 970 mV @ 2.2 a | 5 µA @ 800 V | 2.2 a | 単相 | 800 V | |||||||
TS10KL80 | 0.5997 | ![]() | 5073 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbjl | TS10KL80 | 標準 | KBJL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | 10 a | 単相 | 800 V | |||||||
![]() | TS6K80 | 1.2500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | TS6K80 | 標準 | TS4K | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | ||||||
![]() | BZT55C15 L1G | - | ![]() | 2530 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | ||||||
BU25H06-M3/p | 1.9637 | ![]() | 3218 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ISOCINK+™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-sip、bu | BU25H06 | 標準 | ISOCINK+™BU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | BU25H06-M3/PGI | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 3.5 a | 単相 | 600 V | ||||||
BU25H06-E3/p | 1.9637 | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ISOCINK+™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-sip、bu | BU25H06 | 標準 | ISOCINK+™BU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | BU25H06-E3/PGI | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 3.5 a | 単相 | 600 V |
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