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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SE50PAJ-M3/i	0.5000	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221BC	SE50	標準		DO-221BC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	標準回復> 500ns		600 V		940 mV @ 2.5 a	2 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	5a	32pf @ 4V、1MHz
S1KL R3G	0.4200	RFQ	447	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	S1K	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
UZ219	22.4400	RFQ	8201	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ219	ear99	8541.10.0050	1
jans1n6309us	136.0950	RFQ	1203	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		100 µA @ 1 V				2.4 v	30オーム
TZMC13-M-08	0.0324	RFQ	8622	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC13		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V				13 v	26オーム
jantxv1n4122cur-1	28.8000	RFQ	7251	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4122		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 27.4 v				36 v	200オーム
SMAJ5948E3/TR13	-	RFQ	4972	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±20％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5948		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 69.2 v				91 v	200オーム
US1J-M3/61T	0.4100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1J	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BZX79-B56,133	0.0273	RFQ	2772	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-B56		400 MW	ALF2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	933167050133	ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 39.2 v				56 v	200オーム
1N3337	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3337	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 10 a						75 v	9オーム
1N3296AR	102.2400	RFQ	1596	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	1N3296	標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3296ARMS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65°C〜200°C	150a	-
BZX8450-C4V7R	0.2000	RFQ	895	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 3 V				4.7 v	80オーム
GS1DE-TPS05	-	RFQ	4260	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	GS1D	標準		スマエ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	353-GS1DE-TPS05TR	ear99	8541.10.0080	6,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZD17C120PH	0.3773	RFQ	8051	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	SOD-123	BZD17		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-BZD17C120PHTR	ear99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v				120 v	300オーム
1N4898	101.0250	RFQ	9851	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-25°C〜100°C	穴を通して	DO-204AA	1N4898		400 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											12.8 v	400オーム
TZX9V1E-TR	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX9V1		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 6.8 v				9.1 v	20オーム
1SMB3EZ15_R1_00001	0.4500	RFQ	800	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB3		3 W	SMB （DO-214AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	800							500 NA @ 11.4 v				15 V	6オーム
BZX84-C3V0,215	0.0200	RFQ	177	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX84-C3V0,215-954			1					900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V				3 v	95オーム
1N3307A	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3307		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3307A	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 10 a		50 µA @ 5.2 v				8.2 v	0.4オーム
RB215T-90NZC9	3.2900	RFQ	895	Rohm Semiconductor	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	RB215	ショットキー		TO-220FN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	846-RB215T-90NZC9	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	90 v	20a	750 mv @ 10 a		400 µA @ 90 V	150°C
BAW56WE6327HTSA1	-	RFQ	5048	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAW56	標準		PG-SOT323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C （最大）
LL4001G L0G	-	RFQ	4218	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-213ab 、メルフ	LL4001	標準		メルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-ll4001gl0gtr	ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
bat54filmy	0.4200	RFQ	77	stmicroelectronics	Q自動車	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns		40 v		900 mV @ 100 Ma	5 ns	1 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	300mA	10pf @ 1V、1MHz
CDBER54-HF	-	RFQ	5256	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	0503（1308 メトリック）	CDBER54	ショットキー		0503/SOD-723F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		1 V @ 100 MA	5 ns	2 µA @ 25 V	125°C （最大）	200mA	10pf @ 1V、1MHz
S32	0.0660	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-S32TR	ear99		3,000
BZT52H-C6V2,115	0.0200	RFQ	41	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZT52H-C6V2,115-954			1					900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10オーム
SMD2150PL-TP	0.4000	RFQ	5	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123F	SMD2150	ショットキー		SOD-123FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 2 a		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	2a	210pf @ 4V、1MHz
1N3022B-1/TR	7.4214	RFQ	7611	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3022		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3022B-1/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 9.1 v				12 v	9オーム
GP10GE-1010E3/93	-	RFQ	3597	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	バルク	廃止			-	-	GP10			-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1	-							-	-	-
IRD3CH24DF6	-	RFQ	7436	Infineon Technologies	-	バルク	廃止					IRD3CH24				ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001548456	ear99	8541.10.0080	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²