画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RD3.3ES-AZ | 0.0500 | ![]() | 9020 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 4,945 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 40HFR50 | 2.5000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-40HFR50 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 500 V | - | 40a | - | ||||||||||||||
![]() | V15P8-M3/86A | 0.8500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V15p8 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 660 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 80 v | -40°C〜150°C | 4.6a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52-C68X | 0.2200 | ![]() | 2082 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.9% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 160オーム | |||||||||||||
jan1n5539c-1/tr | 9.9351 | ![]() | 4086 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5539c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | V15PM63HM3/h | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 660 mV @ 15 a | 35 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 4.6a | 2700pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BZX84-C68-QR | 0.0319 | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-C68-QRTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V0,215 | 0.0200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX84-C3V0,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N3307A | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3307 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N3307A | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 a | 50 µA @ 5.2 v | 8.2 v | 0.4オーム | ||||||||||||
![]() | BAW56WE6327HTSA1 | - | ![]() | 5048 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAW56 | 標準 | PG-SOT323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 150 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||
![]() | LL4001G L0G | - | ![]() | 4218 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | LL4001 | 標準 | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ll4001gl0gtr | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | CZRB3043-G | - | ![]() | 5673 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | - | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CZRB3043 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | NRVBM2H100T3G | 0.9100 | ![]() | 9979 | 0.00000000 | onsemi | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-216AA | NRVBM2 | ショットキー | パワーマイト | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 680 mV @ 2 a | 20 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | NSF03A20 | - | ![]() | 4699 | 0.00000000 | avx | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | NSMC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 980 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | -40°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | jans1n4494us | - | ![]() | 8208 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | - | ダウンロード | 600-jans1n4494us | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 na @ 128 v | 160 v | 1000オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5400G B0G | - | ![]() | 1208 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5400 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84C12 TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | SBR30100CT | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | SBR30100 | スーパーバリア | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | SBR30100CTDI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 850 mV @ 15 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | BZT55B27 L0G | 0.0385 | ![]() | 4565 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | gbu8ks | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 365 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||
![]() | 1SMB3EZ15_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB3 | 3 W | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 11.4 v | 15 V | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | CDS5522B-1 | - | ![]() | 9276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5522B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C22 | 0.0290 | ![]() | 5172 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55C22TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||
Jan1n991b-1 | - | ![]() | 5821 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 137 v | 180 v | 2200オーム | |||||||||||||||||
![]() | SS520C-HF | 0.2124 | ![]() | 7051 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS520 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 850 mv @ 5 a | 1 MA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 400pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | S1Z1SMB5919BT3G | 0.6800 | ![]() | 8052 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S1Z1 | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||
![]() | TZM5256C-GS18 | - | ![]() | 1580 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5256 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | |||||||||||||
![]() | MBR2045CT | 0.8100 | ![]() | 9342 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 600 mV @ 10 a | 200 Na @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | CMHZ4678 TR PBFREE | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | CMHZ4678 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 100 MA | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 v | ||||||||||||||
![]() | 1N739A | 1.9200 | ![]() | 5910 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N739 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 110 v | 490オーム |
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