画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZX8450-C5V1-QR | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx8450-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | TO-236-3 | BZX8450 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | BAW100G BK TIN/LEAD | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | to-253-4、to-253aa | BAW100 | 標準 | SOT-143 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1514-BAW100GBKTIN/LEAD | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 75 v | 250ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 1 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | KBPC3504I | 3.5642 | ![]() | 1689 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | 箱 | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 4-sip 、KBPC | 標準 | 4-sip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2721-KBPC3504I | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 V @ 17.5 a | 10 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||
![]() | SMBZ1599LT1 | 0.0200 | ![]() | 141 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | gp10jehe3/54 | - | ![]() | 9527 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | uft20120d | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | ネジマウント | モジュール | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 200 v | 100a | 1.25 V @ 100 a | 70 ns | 50 µA @ 200 V | ||||||||||||||
![]() | BAS116T-7 | - | ![]() | 1504 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | SOT-523 | BAS116 | 標準 | SOT-523 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 85 v | 1.25 V @ 150 MA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65°C〜150°C | 215ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | CD214A-B220LF | - | ![]() | 2962 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CD214a | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | 200pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | RB218T-60NZC9 | 1.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RB218 | ショットキー | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 830 mV @ 10 a | 5 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||||
CDLL4109TR | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | CDLL4109 | 500 MW | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 237 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | 100オーム | ||||||||||||||
BZX84-C20,215 | 0.1600 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C20 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||
s1mlhrtg | - | ![]() | 7093 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1ML | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CS3G-E3/i | 0.3600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | CS3 | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 3 a | 2.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 26pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | RGP10KEHE3/53 | - | ![]() | 9195 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | NTE5836 | 5.4600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-NTE5836 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.2 V @ 3 a | 10 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | kdzvtftr2.7b | 0.4700 | ![]() | 2958 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | 自動車、AEC-Q101 、KDZVTF | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.41% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | KDZVTFTR2.7 | 1 W | PMDU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 1 V | 2.9 v | |||||||||||||||
![]() | BZG03B200-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 8770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B200 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 v | 500オーム | |||||||||||||
![]() | VS-MBRB745TRR-M3 | 0.5595 | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB745 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 570 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 7.5a | 400pf @ 5v、1MHz | ||||||||||||
![]() | HVD142AKRF-E | 0.1800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2DA | 0.0350 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ES2DATR | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UH3C-E3/57T | - | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | uh3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | MBR2535CTLG | 2.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR2535 | ショットキー | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 12.5a | 470 mV @ 12.5 a | 5 ma @ 35 v | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | S3DBH | 0.1210 | ![]() | 8033 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S3D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SK1045-TP | - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK1045 | ショットキー | do-214ab (HSMC) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mV @ 10 a | 1 MA @ 45 v | -55°C〜125°C | 10a | 500pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSD914-FS | - | ![]() | 7169 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,078 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5257B | - | ![]() | 2178 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | 200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5235 | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | - | 200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | jantx1n3024d-1/tr | 24.4853 | ![]() | 2191 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3024d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||||
![]() | 2EZ6.8D5E3/TR12 | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ6.8 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.8 v | 2オーム | |||||||||||||
CDLL5266B | 3.5850 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5266 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 52 v | 68 v | 230オーム |
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