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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
TSS83L45	0.4500	RFQ	96	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128	TSS83	ショットキー		SOD-128	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns				45 v		560 mV @ 3 a		500 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	3a	220pf @ 4V、1MHz
CDBZ61045-HF	-	RFQ	1223	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	Z6		ショットキー		TO-252	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns				45 v		550 mV @ 10 a		100 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	10a	-
vs-11dq03tr	-	RFQ	6851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	11dq03	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns				30 V		550 mV @ 1 a		1 mA @ 30 v	-40°C〜150°C	1.1a	-
VS-8EWF04STRR-M3	2.0160	RFQ	8583	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ewf04	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWF04STRRM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns				400 V		1.2 V @ 8 a	200 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	8a	-
3EZ180D5E3/TR12	-	RFQ	6987	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ180		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000								1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 136.8 v						180 v	700オーム
FR153	-	RFQ	1190	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	FR15	標準		DO-15	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns				200 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1.5a	30pf @ 4V、1MHz
AZ23C6V2-G3-18	0.0483	RFQ	5386	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C6V2		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード									100 Na @ 2 V						6.2 v	10オーム
1N5950bur-1	4.5300	RFQ	3006	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N5950		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 83.6 v						110 v	300オーム
AZ23C3V9-G3-08	0.0483	RFQ	5722	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C3V9		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード															3.9 v	95オーム
DDB6U215N16LHOSA1	229.2700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	DDB6U215	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns			3独立	1600 v	-	1.61 V @ 300 a		10 mA @ 1600 v	-40°C〜150°C
PDS760Q-13	0.8200	RFQ	12	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™5	PDS760	ショットキー		Powerdi™5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns				60 V		620 mv @ 7 a		200 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	7a	-
jantx1n647-1/tr	-	RFQ	1979年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/240	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n647-1/tr	ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns				400 V		1 V @ 400 Ma		50 Na @ 400 V	-65°C〜175°C	400mA	-
TLZ39-GS08	0.0335	RFQ	4180	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ39		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500								1.5 V @ 200 mA								39 v	85オーム
1 PMT5914/TR7	-	RFQ	6447	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5914		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1.2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						3.6 v	9オーム
1N6339US	14.6400	RFQ	2947	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6339		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.4 V @ 1 a		50 Na @ 33 v						43 v	65オーム
MBR1645G	1.3800	RFQ	6104	onsemi	SwitchMode™	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	MBR1645	ショットキー		TO-220-2	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns				45 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜175°C	16a	-
SS1H9HE3_B/i	0.1188	RFQ	8326	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS1H9	ショットキー		sma（do-214ac）	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns				90 v		860 mV @ 2 a		1 µA @ 90 V	175°C （最大）	1a	-
rbs1lam40atr	0.3900	RFQ	5	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-128	rbs1lam40	ショットキー		PMDTM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns				20 v		380 mV @ 1 a		400 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	-
DS35-08A	-	RFQ	5996	ixys	-	箱	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	DS35	標準		do-203ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns				800 V		1.55 V @ 150 a		4ma @ 800 v	-40°C〜180°C	49a	-
SJPL-H2	-	RFQ	7605	サンケン	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD、Jリード		標準		SJP	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		SJPL-H2 DK	ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns				200 v		980 mV @ 2 a	50 ns	50 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	2a	-
jantx1n5532dur-1/tr	48.0795	RFQ	9986	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5532dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.8 v						12 v	90オーム
SMBG5336CE3/TR13	-	RFQ	2966	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5336		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1.2 V @ 1 a		10 µA @ 1 V						4.3 v	2オーム
jantx1n6766r	-	RFQ	7063	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-254-3		標準		TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns				400 V		1.55 V @ 12 a	60 ns	10 µA @ 320 v	-	12a	300pf @ 5V、1MHz
VS-6CWQ03FNTRRPBF	-	RFQ	1345	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	6CWQ03	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns			1ペア共通カソード	30 V	3.5a	350 mV @ 3 a		2 mA @ 30 v	-40°C〜150°C
bar6302le6433x	-	RFQ	5337	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		150°C （TJ）		SOD-882	bar63			PG-TSLP-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	50,000			100 Ma	250 MW									0.3pf @ 5V、1MHz	ピン -シングル	50V			1OHM @ 10MA 、100MHz
MBR540MFST1G	-	RFQ	5671	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	8-powertdfn	MBR540	ショットキー		5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns				40 v		580 mV @ 5 a		2 MA @ 40 V	-40°C〜175°C	5a	-
VS-11DQ09	-	RFQ	3052	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	11dq09	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns				90 v		850 mv @ 1 a		500 µA @ 90 V	-40°C〜150°C	1.1a	-
UFS305GE3/TR13	1.5000	RFQ	3752	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	UFS305	標準		DO-215AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns				50 v		950 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜175°C	3a	-
1N5534C/TR	11.5500	RFQ	3919	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5534C/TR	ear99	8541.10.0050	100								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 12.6 v						14 v	100オーム
VS-STPS1045BTRL-M3	0.4613	RFQ	5817	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	STPS1045	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSSTPS1045BTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns				45 v		630 mv @ 10 a		200 µA @ 45 V	-40°C〜175°C	10a	760pf @ 5v、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²