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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MBRD340RL	-	RFQ	6505	onsemi	SwitchMode™	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	MBRD340	ショットキー		dpak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 3 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
US2G-TP	0.4200	RFQ	6	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	US2g	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		400 V		1.4 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	2a	28pf @ 4V、1MHz
gpp60dhe3/73	-	RFQ	5852	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	P600 、軸	gpp60	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	300	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 6 a	5.5 µs	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	6a	-
SBLB1630CTHE3/81	-	RFQ	5552	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1630	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	8a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 30 V	-40°C〜125°C
MBRH20030RL	-	RFQ	8472	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67		ショットキー、逆極性		D-67	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		30 V		580 mV @ 200 a		3 ma @ 30 v	-55°C〜150°C	200a	-
VS-10WQ045FNTRL-M3	0.4712	RFQ	8332	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	10WQ045	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS10WQ045FNTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 10 a		1 MA @ 45 v	-40°C〜175°C	10a	760pf @ 5v、1MHz
MBR3080CT-Y	0.7462	RFQ	3364	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR3080	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBR3080ct-y	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	30a	940 mV @ 30 a		200 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
SRAF1660HC0G	-	RFQ	3378	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2フルパック	SRAF1660	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 16 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	16a	-
jantx1n5522c-1/tr	16.3856	RFQ	2616	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5522c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V				4.7 v	22オーム
mur180-ap	-	RFQ	4510	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	MUR180	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		800 V		1.75 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
jantx1n6075	-	RFQ	6072	Semtech Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/503	バルク	sicで中止されました			穴を通して	軸	1N6075	標準		軸	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		150 v		1.2 V @ 1.5 a	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 5V、1MHz
SS215L RVG	0.4300	RFQ	1	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS215	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		150 v		850 mV @ 2 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	2a	-
BZX84C33VLT116	0.2300	RFQ	3	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	±6.06％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BZX84		250 MW	SSD3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 23 V				33 v	80オーム
bat54st	0.0260	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOT-523	BAT54	ショットキー		SOT-523	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BAT54STTR	ear99		3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペアシリーズ接続	30 V	200mA	1 V @ 100 MA	5 ns	2 µA @ 25 V	-65°C〜125°C
SSC53L-M3/57T	0.6800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SSC53	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		30 V		450 mv @ 5 a		700 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	5a	-
1N4475US/TR	10.2410	RFQ	5797	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4475US/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		50 Na @ 21.6 v				27 v	18オーム
MURS140-E3/5BT	0.4900	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS140	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
jantxv1n4990	33.8100	RFQ	8063	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4990		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 167 v				220 v	550オーム
CDLL6311	14.0250	RFQ	6044	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL6311		500 MW	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		30 µA @ 1 V				3 v	29オーム
cdll828a/tr	14.7300	RFQ	9680	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.34％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL828A/TR	ear99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V				6.55 v	15オーム
MBR10100CD	0.5700	RFQ	9366	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBR1010	ショットキー		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		2,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	800 mV @ 5 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜175°C
301CNQ035	57.7937	RFQ	8765	SMCダイオードソリューション	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	PRM4	301cnq	ショットキー		PRM4 （非分離）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	301CNQ035SMC	ear99	8541.10.0080	9	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	150a	690 mV @ 150 a		10 mA @ 35 v	-55°C〜175°C
Jan1n978dur-1/tr	12.7680	RFQ	7525	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n978dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 39 v				51 v	125オーム
CDBER0230L-HF	0.0667	RFQ	8582	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	0503（1308 メトリック）	CDBER0230	ショットキー		0503/SOD-723F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		500 mV @ 200 mA		30 µA @ 10 V	125°C （最大）	200mA	-
BZX84W-B5V1X	0.0389	RFQ	6494	Nexperia USA Inc.	BZX84W	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934660386115	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	60オーム
VS-10AWT10TRR-E3	-	RFQ	7712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止					10awt10				-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1
SF65-AP	-	RFQ	5952	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	SF65	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1,200	高速回復= <500ns		300 V		1.3 V @ 6 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜125°C	6a	60pf @ 4V、1MHz
BY252GP-E3/54	-	RFQ	8454	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by252	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
VS-40HFR140M	15.8598	RFQ	7678	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HFR140	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS40HFR140M	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1400 v		1.5 V @ 125 a			-65°C〜160°C	40a	-
VS-VSKD56/04	39.2800	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKD56	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	400 V	30a			10 mA @ 400 v	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²