画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5954CP/TR8 | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5954 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 121.6 v | 160 v | 700オーム | |||||||||||||
![]() | 1N1374 | 44.3850 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | スタッドマウント | do-203aa | 1N137 | 10 W | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-1N1374 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 91 v | 35オーム | ||||||||||||||||
1N5265A | 2.7450 | ![]() | 7102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5265 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 45 V | 62 v | 185オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRB30150CTH-TP | 0.9264 | ![]() | 7802 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB30150 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | 353-MBRB30150CTH-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 30a | 850 mV @ 15 a | 10 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | ES 1F | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | サンケン | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | 軸 | ES 1 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1500 v | 2 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 10 µA @ 1500 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | ||||||||||||
![]() | 1N2999B | 6.5000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 1N2999 | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2999B | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 2 a | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 16オーム | ||||||||||||
![]() | FBS10-06SC | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | ISOPLUSI5-PAK™ | FBS10 | シリコンカーバイドショットキー | ISOPLUS I4-PAC™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 200 µA @ 600 V | 6.6 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
1N5263/tr | 2.2950 | ![]() | 8402 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5263/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 41 v | 56 v | 150オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4580aur-1/tr | 9.0600 | ![]() | 8824 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4580aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25オーム | |||||||||||||||
jan1n4980cus | 23.5500 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4980 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 62.2 v | 82 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRB860-TP | 0.5533 | ![]() | 3595 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB860 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | 影響を受けていない | 353-MBRB860-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mv @ 8 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | BZX84C12-13-F-79 | - | ![]() | 6332 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | BZX84 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BZX84C12-13-F-79DI | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3308A | 49.3800 | ![]() | 1353 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3308 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 25 µA @ 6.1 v | 9.1 v | 0.5オーム | |||||||||||||
![]() | 1PGSMB5955 | 0.1689 | ![]() | 7263 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 136.8 v | 180 v | 900オーム | |||||||||||||||
![]() | DB151S | 0.1098 | ![]() | 7103 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DB151 | 標準 | DB-S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 50 V | 1.5 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
![]() | 1N973B TR PBFREE | 0.0734 | ![]() | 9337 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||
![]() | bat42w | 0.0548 | ![]() | 1767 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | BAT42 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BAT42WTR | ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | -55°C〜125°C | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
BZD17C24P M2G | - | ![]() | 1391 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.83% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | HERF1604G | 0.7206 | ![]() | 9363 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | HERF1604 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 16a | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | mtzj6v2sa | 0.0305 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj6 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ6V2SATR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | BZV90-C56,115 | 0.6000 | ![]() | 8234 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BZV90-C56 | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||||
UZ856 | 22.4400 | ![]() | 4007 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 3 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ856 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4135UR-1 | 3.2400 | ![]() | 9708 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4135 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 76 v | 100 V | 1600オーム | |||||||||||||
![]() | ZMM62 | 0.0385 | ![]() | 9124 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMM62TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-10ETF12STRRPBF | - | ![]() | 8726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 10etf12 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS10ETF12STRRPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.33 V @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
GBLA10 | - | ![]() | 1876年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBLA10 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 v | 4 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
jantxv1n4614c-1 | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | 廃止 | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200オーム | |||||||||||||||
![]() | 1SMB5917BT3 | - | ![]() | 1220 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5917 | 3 W | SMB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 5オーム | |||||||||||||
jantxv1n4984d | 23.4600 | ![]() | 8313 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4984d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 91.2 v | 120 v | 170オーム | ||||||||||||||||
jantx1n6320dus | 55.6050 | ![]() | 3986 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6320 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム |
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