画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
bav70,235 | 0.1500 | ![]() | 126 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 215ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||
![]() | CDLL5259D | 8.4150 | ![]() | 9235 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5259D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||
BZX584C5V1-VG-08 | - | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C-VG | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | UZ5713 | 32.2650 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 5 W | b 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ5713 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 25 µa @ 9.9 v | 13 v | 3オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3050c-1 | - | ![]() | 6794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSD50-18 | - | ![]() | 8096 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | QC端子 | M1 | 標準 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.5 V @ 100 a | 200 µA @ 1800 V | 50 a | 3フェーズ | 1.8 kv | ||||||||||||||||
![]() | CDS4150-1 | - | ![]() | 2259 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS4150-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5935AE3/TR13 | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ5935 | 3 W | do-214ac(smaj) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | |||||||||||||
BAT54-E3-08 | 0.2800 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N747A BK TIN/LEAD | 0.0881 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||||
![]() | PZ1AL27B-AU_R1_000A1 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | PZ1AL27 | 1 W | SOD-123FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | MM1Z4702 | 0.0404 | ![]() | 6088 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MM1Z4702TR | 8541.10.0000 | 24,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | ||||||||||||||||
![]() | SMBG5933CE3/TR13 | - | ![]() | 4701 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5933 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16.7 v | 22 v | 17.5オーム | ||||||||||||||
![]() | A177pd | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | A177 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 2.3 µs | -40°C〜125°C | 100a | - | ||||||||||||||
![]() | jan1n6635cus/tr | - | ![]() | 7285 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | e-melf | ダウンロード | 150-jan1n6635cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 1 V | 4.3 v | 2オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-12CTQ035S-M3 | 0.6714 | ![]() | 9291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 12CTQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 6a | 600 mV @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | 2EZ3.9D/TR12 | - | ![]() | 2902 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2ez3.9 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 30 µA @ 1 V | 3.9 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | HERA803G C0G | - | ![]() | 4073 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | hera803 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | CZRT55C3V0-G | 0.0620 | ![]() | 9639 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||
BZX84C15-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C15 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | 16FR140 | 1.6670 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-16FR140 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 16 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||
SZNZ8F24VMX2WT5G | - | ![]() | 2833 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101、nz8f | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-xdfn | 250 MW | 2-x2dfnw( 1x0.6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-SZNZ8F24VMX2WT5GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18.9 v | 24 v | 70オーム | ||||||||||||||
![]() | FST16035L | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-249AB | ショットキー | TO-249AB | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 80a | 600 mV @ 80 a | 1 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5229BV_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MMBZ5229 | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | ||||||||||||||
![]() | MR1124R | 1.9500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-MR1124R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 12 a | 500 µA @ 400 V | -65°C〜190°C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | BZX884-B8V2,315 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX884 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS716F | 0.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BAS716 | 標準 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | CZRW55C3V3-G | - | ![]() | 7180 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | CZRW55 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | BZW03C130-TAP | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 100 V | 130 v | 190オーム | |||||||||||||
![]() | jantx1n4565a-1/tr | 3.7500 | ![]() | 9734 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4565a-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム |
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