画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n6312c | 31.8300 | ![]() | 9863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6312 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27オーム | |||||||||||||
![]() | CDLL4758A/TR | 3.2319 | ![]() | 4717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL4758A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5925BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 7551 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5925 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8 V | 10 v | 4.5オーム | |||||||||||
![]() | MMXZ5254B-TP | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MMXZ5254 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 100 MA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | |||||||||||
MMBZ5255B-G3-08 | - | ![]() | 9051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5255 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 21 V | 28 v | 44オーム | |||||||||||||
![]() | BZW03C240-TR | - | ![]() | 4895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 180 v | 240 v | 900オーム | |||||||||||
![]() | MMBZ5223BLT1 | - | ![]() | 2912 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | 1N5267C-TAP | 0.0288 | ![]() | 1275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5267 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 270オーム | |||||||||||
![]() | bzd27b9v1p-e3-08 | 0.1155 | ![]() | 4993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B9V1 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||
CDLL4741 | 3.4650 | ![]() | 7935 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL4741 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | RD3.0E-T1-AZ | 0.0300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SD103AWS-7-F-79 | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-SD103AWS-7-F-79TR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 350ma | 28pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | EM 1BV1 | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | サンケン | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | em 1 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.05 V @ 1 a | 20 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | VS-VSKCS209/150 | 44.1100 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKCS209 | ショットキー | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 150 v | 100a | 1.01 V @ 100 a | 6 MA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
S1J R3G | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1J | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GBJ206 | 0.2090 | ![]() | 132 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GBJ206 | ear99 | 1,320 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CD4770 | 12.4650 | ![]() | 4413 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-CD4770 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 200オーム | ||||||||||||||||
SJPB-H6V | - | ![]() | 5628 | 0.00000000 | サンケン | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD、Jリード | SJPB-H6 | ショットキー | SJP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | SJPB-H6V DK | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 690 mV @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | DSA120C150QB | 6.9500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | DSA120 | ショットキー | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 60a | 930 mv @ 60 a | 1.8 mA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | em1c | - | ![]() | 4659 | 0.00000000 | サンケン | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | EM1 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.05 V @ 1 a | 20 µA @ 1000 v | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | SRA357GP-TP | - | ![]() | 4314 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | sra | SRA357 | 標準 | sra | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 35 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 35a | 300pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | STF3060C | 1.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | STF3060 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | - | 700 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 60 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | RA201836XX | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | do-200ad | RA201836 | 標準 | POW-R-DISC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1800 v | 1.15 V @ 3000 a | 22 µs | 200 mA @ 1800 v | 3600a | - | |||||||||||
![]() | B1100LB-13 | - | ![]() | 3602 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | B1100 | ショットキー | SMB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 750 mv @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MER3DBF-AU_R1_007A1 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AA | MER3D | 標準 | SMBF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MER3DBF-AU_R1_007A1CT | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 3a | 31PF @ 4V、1MHz | ||||||||
![]() | MUR40060CTR | 132.0780 | ![]() | 8477 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ツインタワー | MUR40060 | 標準 | ツインタワー | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | MUR40060CTRGN | ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 200a | 1.3 V @ 125 a | 180 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||||
jan1n5804us | - | ![]() | 5040 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | sicで中止されました | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 2.5 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2.5a | 25pf @ 10V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-E5TH2106S2LHM3 | 2.4900 | ![]() | 850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT®G5 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.68 V @ 20 a | 47 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 20a | - | |||||||||||
![]() | MBR20200Cth | 0.7673 | ![]() | 4500 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20200 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.23 V @ 20 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | EP01CW | - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | サンケン | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | 軸 | EP01 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | EP01CW DK | ear99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1000 V | 4 V @ 200 mA | 200 ns | 5 µA @ 1000 v | -40°C〜150°C | 200mA | - |
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