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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84W-B43X	0.0389	RFQ	1034	Nexperia USA Inc.	BZX84W	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 30.1 v						43 v	150オーム
1N5921BP-TP	0.0963	RFQ	3302	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5921		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	353-1N5921BP-TPTR	ear99	8541.10.0050	5,000						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 5.2 v						6.8 v	2.5オーム
TSS4B02GHC2G	-	RFQ	8078	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-4B	TSS4B02	標準		TS4B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20						980 mV @ 4 a		5 µA @ 100 V		4 a		単相	100 V
CDLL5230A	2.8650	RFQ	6973	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5230		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						4.7 v	19オーム
SF10HG-B	-	RFQ	3655	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		500 V		1.5 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 500 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
jantx1n3038bur-1/tr	13.0739	RFQ	1303	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3038bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
1N5227C-TAP	0.0339	RFQ	4315	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5227		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 mA		15 µA @ 1 V						3.6 v	24オーム
MSASC150W100LX/TR	-	RFQ	3013	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Thinkey™3		ショットキー、逆極性		Thinkey™3	-			影響を受けていない	150-MSASC150W100LX/TR	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		100 V		925 mV @ 150 a		5 ma @ 100 v	-65°C〜150°C	150a	-
jantx1n5811	-	RFQ	1277	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	軸		標準		軸	ダウンロード				600-jantx1n5811	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		150 v		875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	6a	60pf @ 5v、1MHz
CDLL4742A	3.3400	RFQ	204	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4742			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v						12 v	9オーム
bd850ys_l2_00001	0.3456	RFQ	8931	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	BD850	ショットキー		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75,000		高速回復= <500ns		50 v		750 mv @ 8 a		50 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	8a	-
1N5365B/TR8	2.6850	RFQ	1745	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5365		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 a		500 NA @ 25.9 v						36 v	11オーム
RBR20NS60ATL	0.7845	RFQ	1	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	RBR20	ショットキー		LPDS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	846-RBR20NS60ATLCT	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	640 mV @ 10 a		400 µA @ 60 V	150°C
KBP308G	0.8300	RFQ	35	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbp	KBP308	標準		KBP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	35						1.1 V @ 3 a		5 µA @ 800 V		3 a		単相	800 V
bav3004wq-7-f	0.0644	RFQ	6	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します			表面マウント	SOD-123	bav3004	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	31-bav3004wq-7-ftr	ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 240 v	-65°C〜150°C	225MA	1PF @ 0V、1MHz
MB3505-F	-	RFQ	9360	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	sicで中止されました		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方メートル、MB	MB3505	標準		MB	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けた	MB3505-FDI	ear99	8541.10.0080	100						1.2 V @ 17.5 a		10 µA @ 50 V		35 a		単相	50 v
SZNZ8F9V1MX2WT5G	0.0456	RFQ	8811	onsemi	aec-q101、nz8f	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント、濡れ可能な側面	2-xdfn			250 MW	2-x2dfnw（ 1x0.6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	488-SZNZ8F9V1MX2WT5GTR	ear99	8541.10.0050	8,000						900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V						9.1 v	30オーム
16FR80	1.6670	RFQ	3190	Solid State Inc.	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-16FR80	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns		800 V		1.2 V @ 16 a		10 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	16a	-
jantxv1n4474c	31.6350	RFQ	3804	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4474		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 200 mA		50 Na @ 19.2 v						24 v	16オーム
BZX84-C33,235	0.1600	RFQ	100	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-C33		250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 23.1 v						33 v	80オーム
SD103AWS-E3-08	0.3800	RFQ	291	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	SD103	ショットキー		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	350ma	50pf @ 0V、1MHz
B482F-2T	42.9190	RFQ	1746	sensata-cryd om	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	B48モジュール	B482F	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		2266-B482F-2T	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1200 v	35a	1.25 V @ 35 a			-40°C〜125°C
SR204 B0G	-	RFQ	2330	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SR204	ショットキー		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 2 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	2a	-
1N4764AP/TR12	-	RFQ	5680	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4764		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 76 v						100 V	350オーム
1 PMT4114C/TR7	1.2450	RFQ	7302	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4114		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 15.2 v						20 v	150オーム
JANTXV1N6630U	26.3700	RFQ	4442	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6630U	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		990 v		1.4 V @ 1.4 a	60 ns	2 µA @ 990 v	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V、1MHz
MSAD120-08	-	RFQ	6865	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D1		標準		D1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	800 V	120a	1.43 V @ 300 a		6 MA @ 800 v
AZ23C8V2-TP	0.0426	RFQ	3154	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C8V2		300 MW	SOT-23	ダウンロード				353-AZ23C8V2-TP	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							100 na @ 6 v						8.2 v	7オーム
BZX38450-C4V7X	0.2300	RFQ	17	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 3 V						4.7 v	80オーム
BZX79-B22,143	0.0200	RFQ	45	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 15.4 v						22 v	55オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²