画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f | 電流に結合された電圧 - @ vr | 電圧に結合された電流-worward vf )( max @ if |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n6313cus/tr | 44.6250 | ![]() | 5526 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantx1n6313cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||
MPP4206-206 | 3.6000 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Gigamite® | トレイ | アクティブ | - | 0402 (1005メトリック) | MPP4206 | 0402 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MPP4206-206 | ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 0.15pf @ 10V、1MHz | ピン -シングル | 200V | 2.5OHM @ 10MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAS316Q | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BAS316QTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SVC203C-TB-E | - | ![]() | 6608 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | SVC203 | 3-CP | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 13.4PF @ 9V、1MHz | 1ペア共通カソード | 16 v | 4.6 | C1/C9 | 60 @ 3V、100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MA4P7433-287T | 1.5500 | ![]() | 198 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | SMPP | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | TO-236-3 | MA4P7433 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0060 | 3,000 | 150 Ma | 250 MW | 0.35pf @ 20V、1MHz | ピン -シングル | 75V | 1.5OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX384C13-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C13 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | vuo52-12no1 | 33.6700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | V1-A | vuo52 | 標準 | V1-A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.13 V @ 20 a | 40 µA @ 1200 v | 54 a | 3フェーズ | 1.2 kv | |||||||||||||||||||
BU2006-M3/45 | 1.9276 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu | BU2006 | 標準 | ISOCINK+™BU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 10 a | 5 µA @ 600 v | 20 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||
![]() | TLZ27A-GS08 | 0.0335 | ![]() | 4004 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ27 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 na @ 23 v | 27 v | 45オーム | |||||||||||||||||||
BU25105S-M3/45 | - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu-5s | BU25105 | 標準 | ISOCINK+™BU-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 12.5 a | 5 µA @ 1000 v | 3.5 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||
![]() | BA683-M-18 | - | ![]() | 3747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BA683 | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | RBU1506M | 0.7900 | ![]() | 2300 | 0.00000000 | Rectron USA | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、rbu | 標準 | RBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-RBU1506M | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 7.5 a | 500 NA @ 800 V | 15 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||||
![]() | RF201L2SDDTE25 | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RF201 | 標準 | PMDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 870 mV @ 2 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C | 2a | - | |||||||||||||||||
![]() | SS53Q | 0.1820 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS53QTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBJ1010 | 0.2780 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-KBJ1010 | ear99 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
BU15085S-M3/45 | - | ![]() | 2902 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu-5s | BU15085 | 標準 | ISOCINK+™BU-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 7.5 a | 5 µA @ 800 V | 15 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||||||
![]() | 1SS120TE-E | 0.1100 | ![]() | 425 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSIB15A60L-81E3/45 | - | ![]() | 4614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB15 | 標準 | GSIB-5S | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 7.5 a | 10 µA @ 600 V | 3.5 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5391G | - | ![]() | 8523 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1N5391GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BA979-GS18 | - | ![]() | 7669 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SOD-80バリアント | BA979 | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 0V 、100MHz | ピン -シングル | 30V | 50OHM @ 1.5MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | KBU606G | 1.7406 | ![]() | 7039 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | KBU606 | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||||
BU1006A5S-E3/45 | - | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu-5s | BU1006 | 標準 | ISOCINK+™BU-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.1 V @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 3 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-26MT160 | 21.1900 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | QC端子 | 5 平方、D-63 | 26MT160 | 標準 | D-63 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 100 µA @ 1600 V | 25 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-C12X | 0.0299 | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 | 100 | 8 | 10 | ||||||||||||||||||||
![]() | MA4P7441F-1091T | 20.9200 | ![]() | 941 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 2-SMD | MA4P7441 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0060 | 500 | 500 Ma | 30 W | 2.2pf @ 100V 、100MHz | ピン -シングル | 100V | 500MOHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | RC207 | 0.4400 | ![]() | 4363 | 0.00000000 | Rectron USA | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 円形、RC-2 | 標準 | RC-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-RC207 | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 1.05 V @ 2 a | 200 Na @ 1000 V | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||||||
GSIB2040-E3/45 | 1.6949 | ![]() | 1443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB2040 | 標準 | GSIB-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 10 a | 10 µA @ 400 V | 3.5 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||||||||
![]() | MA4P7002F-1072T | 6.2500 | ![]() | 1439 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 2-SMD | MA4P7002 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0060 | 1,500 | 10 W | - | ピン -シングル | 200V | 900mohm @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n937bur-1/tr | - | ![]() | 1210 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n937bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-C9V1-QF | 0.0263 | ![]() | 4130 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101、bzx84w-q | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.08% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84W-C9V1-QFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.05 v | 15オーム |
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