画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT55B62 | 0.0385 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B62TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-VS30DLR16S15 | - | ![]() | 2261 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | VS30 | - | 112-VS-VS30DLR16S15 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5260B-E3-18 | - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5260 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93オーム | ||||||||||||||||
![]() | AZ23C15_R1_00001 | 0.2700 | ![]() | 168 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C15 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-AZ23C15_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 na @ 11 v | 15 V | 30オーム | |||||||||||||
![]() | VX4045CHM3/p | 1.0247 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VX4045CHM3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 560 mV @ 20 a | 600 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | MBR3045CT-E3/4W | - | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR30 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 600 mV @ 15 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | S5KHE3/57T | - | ![]() | 6274 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | RR1VWM4STR | 0.3600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | RR1VWM4 | 標準 | PMDE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 175°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||
![]() | CDS754AUR-1/TR | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150-CDS754AUR-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2040FCT-BP | 0.5250 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | MBR2040 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | 353-MBR2040FCT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 20a | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | cllr1u-04 bk | - | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 標準 | メルフ | ダウンロード | 1514-CLLR1U-04BK | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | R5000215XXWA | - | ![]() | 4477 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | R5000215 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 7 µs | 30 mA @ 200 v | -65°C〜200°C | 150a | - | |||||||||||||||
CDLL3045A | 15.3000 | ![]() | 3415 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL3045 | 1 W | DO-213AB | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 83.6 v | 110 v | 450オーム | |||||||||||||||
![]() | CZ5357B BK | - | ![]() | 1081 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-201AA | 5 W | DO-2011 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1514-CZ5357BBK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 15.2 v | 20 v | 3オーム | ||||||||||||||||
![]() | Hzu30b90trf-e | 0.0700 | ![]() | 96 | 0.00000000 | ルネサス | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 未定義のベンダー | 2156-HZU30B90TRF-E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ammsz5246b-hf | 0.0725 | ![]() | 9661 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | AMMSZ5246 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-AMMSZ5246B-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | CPR3F-080 BK | - | ![]() | 9011 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&ボックス( TB) | 前回購入します | CPR3F | - | 影響を受けていない | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDBU0230 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | CDBU0230 | ショットキー | 0603C/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 500 mV @ 200 mA | 30 µA @ 30 V | 125°C (最大) | 200mA | 9pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||
PB3506-E3/45 | 3.7100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ISOCINK+™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、pb | PB3506 | 標準 | ISOCINK+™PB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 17.5 a | 10 µA @ 600 V | 35 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
1N5804US/TR | 10.0500 | ![]() | 9674 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5804US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | SR105-BP | 0.0591 | ![]() | 4027 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR105 | ショットキー | DO-41 | ダウンロード | 353-SR105-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N6911UTK2CS/TR | 259.3500 | ![]() | 5151 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™2 | ショットキー、逆極性 | Thinkey™2 | - | 影響を受けていない | 150-1N6911UTK2CS/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 30 V | 540 mV @ 25 a | 1.2 mA @ 30 V | -65°C〜150°C | 25a | 1250pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | CMDSH-3G BK TIN/LEAD | - | ![]() | 1617 | 0.00000000 | Corp | CMDSH-3 | バルク | 廃止 | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | CMDSH-3 | ショットキー | SOD-323 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1514-CMDSH-3GBKTIN/LEAD | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 800 mV @ 100 Ma | 1 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 100mA | 7PF @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | cmkbr-6f tr | - | ![]() | 8012 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -65°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | 標準 | SOT-363 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 20 mA | 10 Na @ 50 V | 140 Ma | 単相 | 60 V | ||||||||||||||||
CDBUR0245-HF | - | ![]() | 1136 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-CDBUR0245-HFTR | ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SUF30G-E3/54 | - | ![]() | 3324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | P600 、軸 | SUF30 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.8 V @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | UGF2008GH | 0.6996 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF2008 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ugf2008gh | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 25 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SF28GH | 0.1394 | ![]() | 9284 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SF28 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84W-C27F | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | TS10P05GHD2G | - | ![]() | 1182 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS10P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 600 V | 10 a | 単相 | 600 V |
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