画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | rs1jwf-hf | 0.0595 | ![]() | 9905 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | RS1J | 標準 | SOD-123F | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-RS1JWF-HFTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MMSZ5231BS | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MMSZ5231BSTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4740A | 0.1642 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4740 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5949C | 6.7950 | ![]() | 2889 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5949 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 v | 100 V | 250オーム | ||||||||||||||
![]() | cdll4.10v/tr | 28.5000 | ![]() | 7275 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-cdll4.10v/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ER1002FCT_T0_00001 | 0.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | ER1002 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3757-ER1002FCT_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 950 mv @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | GR1DB | 0.0400 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-gr1dbtr | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UPS160/TR13 | 0.5550 | ![]() | 1256 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-216AA | UPS160 | ショットキー | パワーマイト | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 600 mV @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 1a | 55pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | CPR4-060 BK | - | ![]() | 1808 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | R-4 、軸 | CPR4 | 標準 | GPR-4am | - | 影響を受けていない | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 10 MA | 3 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | RB751S-409HKTE61 | - | ![]() | 1794 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | RB751 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RB751S-409HKTE61TR | 廃止 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243BS | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MMSZ5243BSTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ36D5RLG | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ36 | 3 W | 軸 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 27.4 v | 36 v | 22オーム | ||||||||||||||
![]() | UGF1606GH | 0.6437 | ![]() | 1080 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF1606 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ugf1606gh | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 16a | 1.25 V @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | GFA00KB-L09X-SPBPRD | - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 488-GFA00KB-L09X-SPBPRD | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AS3D030120P2 | 9.2100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | AS3D03012 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS3D030120P2 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 42a | 1.8 V @ 15 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | BYWB29-100-E3/81 | 0.8147 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | bywb29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | STBR1508B2Y-TR | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | STBR1508 | 標準 | DPAK HV | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 800 V | 1.09 V @ 15 a | 50 µA @ 800 V | -40°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||
![]() | NTE6129 | 314.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | クランプオン | do-200ab、b-puk | 標準 | DO-200AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE6129 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 2.2 V @ 1500 a | 2 µs | 50 mA @ 1600 v | -40°C〜150°C | 700a | - | |||||||||||||
![]() | SM513-CT | 0.2965 | ![]() | 6216 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | SM513 | 標準 | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-SM513-CT | 8541.10.0000 | 30 | 標準回復> 500ns | 1300 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1.3 v | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | HS2DA | 0.0350 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-HS2DATR | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVBS260T3G-RG01 | - | ![]() | 2957 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | NRVBS260 | ショットキー | SMB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 630 mv @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | V15K60CHM3/i | 0.4973 | ![]() | 7483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V15K60CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 5a | 590 mV @ 7.5 a | 1.1 mA @ 60 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | PBPC1001 | - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | 箱 | 廃止 | -65°C〜125°C | 穴を通して | 4 平方、PBPC-8 | 標準 | PBPC-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 150 | 1.1 V @ 5 a | 10 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | SK3150BHE3-LTP | 0.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK3150 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 860 mV @ 3 a | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | st1g | 0.0195 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | DO-214AC、SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ST1GTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
jantx1n4463cus/tr | 36.8850 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4463cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 500 NA @ 4.92 v | 8.2 v | 3オーム | |||||||||||||||||
jantxv1n4574a-1 | 36.5850 | ![]() | 2083 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3 V | 3 v | 100オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZD27C7V5P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27C | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C7V5 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.5 v | 2オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52H-B30-QX | 0.0434 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZT52H-B30-QXTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 V | 40オーム | |||||||||||||
by299p-e3/54 | - | ![]() | 1219 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | BY299 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -50°C〜125°C | 2a | 28pf @ 4V、1MHz |
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