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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
rsfklh	0.1815	RFQ	4691	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123		標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-rsfklhtr	ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns	800 V	1.3 V @ 500 Ma	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
MMSZ5231C-E3-18	0.0433	RFQ	3189	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5231		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					5 µA @ 2 V						5.1 v	17オーム
SK82LHE3-TP	0.2767	RFQ	3078	Micro Commercial Co	-	バルク	前回購入します			表面マウント	do-214ab 、mc	SK82	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード				353-SK82LHE3-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	20 v	650 mv @ 8 a		100 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	8a	400pf @ 4V、1MHz
G3S12005H	-	RFQ	1403	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220F	-			未定義のベンダー	4436-G3S12005H			1	回復時間なし> 500ma	1200 v	1.7 V @ 5 a	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C	21a	475pf @ 0V、1MHz
MR760	0.7500	RFQ	350	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	D-6 、軸		標準		D6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-MR760		8541.10.0000	800	標準回復> 500ns	1000 V	900 mV @ 6 a		25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	22a	-
ER806_T0_00001	0.7200	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	ER806	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	3757-ER806_T0_00001	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 8 a	35 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
jan1n5711ub/tr	19.7250	RFQ	5705	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/444	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし		ショットキー		ub	-				150-jan1n5711ub/tr			100	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	50 v	1 V @ 15 mA		200 Na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2PF @ 0V、1MHz
BZX84-C62-QR	0.0319	RFQ	3250	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZX84-C62-QRTR	ear99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 43.4 v						62 v	215オーム
G5S06508QT	-	RFQ	9772	Global Power Technology Co. Ltd	-	バルク	アクティブ			表面マウント	4-PowertSfn		sic （炭化シリコン）ショットキー		4-dfn （8x8）	-			未定義のベンダー	4436-G5S06508QT			1	回復時間なし> 500ma	650 V	1.5 V @ 8 a	0 ns	50 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	44.9a	550pf @ 0V、1MHz
BZX84C3V3HE3-TP	0.0488	RFQ	1142	Micro Commercial Co	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C3V3		350 MW	SOT-23	ダウンロード				353-BZX84C3V3HE3-TP	ear99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
SS54A	0.0550	RFQ	500	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-SS54ATR	ear99		5,000
TSSE3U60H	0.2874	RFQ	2964	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123H	TSSE3	ショットキー		SOD-123HE	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSSE3U60HTR	ear99	8541.10.0080	20,000	高速回復= <500ns	60 V	580 mV @ 3 a		1 MA @ 60 v	-55°C〜150°C	3a	-
BZX84C24-G3-18	0.2700	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C24		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					50 Na @ 16.8 v						24 v	70オーム
UES1306E3	25.2150	RFQ	9240	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	-			影響を受けていない	150-US1306E3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	400 V	1.25 V @ 3 a	50 ns	20 µA @ 400 v	-55°C〜150°C	3a	-
1N4055R	158.8200	RFQ	6349	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4055R	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	900 V	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 900 V	-65°C〜190°C	275a	-
CD3600	2.2743	RFQ	9464	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	死ぬ		標準		死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD3600	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	50 v	1 V @ 200 mA	4 ns	100 Na @ 50 V	-55°C〜175°C	200mA	2.5pf @ 0V、1MHz
MBR1045	-	RFQ	9771	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	MBR104	ショットキー		TO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-MBR1045	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	45 v	700 mV @ 10 a		100 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	10a	-
CZRQC39VB-HF	0.0652	RFQ	9372	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.49％	-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）	CZRQC39		125 MW	0402C/SOD-923F	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-CZRQC39VB-HFTR	ear99	8541.10.0050	5,000			900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 30 V						39 v	130オーム
S2M-E3/52T	0.4000	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2M	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	標準回復> 500ns	1000 V	1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
UZ5730	32.2650	RFQ	5400	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ5730	ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 22.8 v						30 V	8オーム
BZG04-10-M3-08	0.5400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 10 V						12 v
VS-25FR100M	8.5474	RFQ	8356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	25FR100	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS25FR100M	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns	1000 V	1.3 V @ 78 a			-65°C〜175°C	25a	-
D2SB05 D2G	-	RFQ	3109	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	D2SB05	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25			1.1 V @ 2 a		10 µA @ 50 V		2 a		単相	50 v
SK645L-TP	0.2306	RFQ	8940	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SK645	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード				353-SK645L-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	45 v	650 mv @ 6 a		1 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	6a	200pf @ 4V、1MHz
DSEI25-06AS-TRL	2.5090	RFQ	4554	ixys	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	DSEI25	標準		TO-263	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	238-DSEI25-06AS-TRLTR	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	600 V	1.31 V @ 25 a	50 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	25a	20pf @ 400V、1MHz
SGL1-40R13	0.0881	RFQ	3678	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		ショットキー		DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-SGL1-40R13TR		8541.10.0000	10,000	高速回復= <500ns	40 v	500 mV @ 1 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	1a	-
cdll972b/tr	2.7132	RFQ	4933	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll972b/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 23 V						30 V	49オーム
BZX884-C6V2,315	-	RFQ	5365	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-BZX884-C6V2,315-954			1			900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V						6.2 v	10オーム
BYWB29-150-E3/81	0.8147	RFQ	2739	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	bywb29	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	150 v	1.3 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	8a	-
CR6A4 BK	-	RFQ	4614	Corp	-	バルク	廃止			穴を通して	106 、軸		標準		106	-				1514-cr6a4bk	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	400 V	1 V @ 6 a		1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	6a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²