画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT5936A/TR7 | 2.2200 | ![]() | 5137 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5936 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 28オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5351BE3/TR12 | 2.6850 | ![]() | 7541 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5351 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 10.1 v | 14 v | 2.5オーム | |||||||||||||
![]() | BZD27C10P-M3-08 | 0.4600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 7 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | |||||||||||||
![]() | VS-STPS30L30CGTRLP | - | ![]() | 9564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | STPS30 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSSTPS30L30CGTRLP | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 15a | 460 mV @ 15 a | 1.5 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SE12DTLG-M3/i | 1.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | SMPD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 12 a | 300 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3.6a | 96pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ5235A_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | MMSZ5229A | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.06% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5235 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMSZ5235A_R1_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | 1N6019C | 4.1550 | ![]() | 4010 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6019 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 225オーム | |||||||||||||
![]() | LSM835G/TR13 | 1.9500 | ![]() | 1180 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-215ab 、mcガルウィング | LSM835 | ショットキー | DO-215AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 520 mV @ 8 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | GDZ24B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 5668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、gdz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ24 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 19 v | 24 v | 120オーム | ||||||||||||||
BZD27C20PHRFG | - | ![]() | 5262 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | NTE5189A | 12.8800 | ![]() | 88 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 10 W | DO-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE5189A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 13 v | 3オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4734AUR-1 | 3.4650 | ![]() | 5762 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-1N4734AUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5926DG | 7.5450 | ![]() | 3538 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5926 | 1.25 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | |||||||||||||
MB351-F | - | ![]() | 2879 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | sicで中止されました | -55°C〜150°C | QC端子 | 4 平方メートル、MB | MB351 | 標準 | MB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 100 V | 35 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
![]() | 1N2825BE3 | 95.1150 | ![]() | 1852年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2825 | 10 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 27.4 v | 36 v | 3.5オーム | ||||||||||||||
![]() | SD175SB45A.T2 | 1.1781 | ![]() | 3560 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | SD175 | ショットキー | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0040 | 490 | 高速回復= <500ns | 45 v | 640 mV @ 30 a | 800 µA @ 45 V | -55°C〜175°C | 30a | 1600pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | V15K170C-M3/h | 0.6542 | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V15K170C-M3/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 170 v | 3a | 900 mV @ 7.5 a | 50 µA @ 170 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | Mur260rl | - | ![]() | 1073 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MUR26 | 標準 | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.35 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | 1PGSMC5348 M6G | - | ![]() | 6184 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5348M6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 3オーム | |||||||||||||
![]() | MBR2535CTG | 1.7000 | ![]() | 40 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR2535 | ショットキー | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 30a | 820 mV @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | 1N4494 | 10.5750 | ![]() | 9655 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N4494 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4494MS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 128 v | 160 v | 1000オーム | |||||||||||||
![]() | CMPZ5256B BK PBFREE | 0.0709 | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | CMPZ5256 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | |||||||||||||
![]() | BZM55B39-TR3 | 0.0433 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B39 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 500オーム | |||||||||||||
![]() | jan1n3007b | - | ![]() | 4276 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 83.6 v | 110 v | 55オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4148WXL-TP | 0.1800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 1N4148 | 標準 | SOD-323FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 150ma | - | |||||||||||
jantxv1n4485cus/tr | 45.2850 | ![]() | 6777 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantxv1n4485cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 54.4 v | 68 v | 100オーム | |||||||||||||||||
NZ8F3V9MX2WT5G | 0.0428 | ![]() | 8596 | 0.00000000 | onsemi | NZ8F | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.41% | -65°C〜150°C | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-xdfn | 250 MW | 2-x2dfnw( 1x0.6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | G2SBA60L-5701E3/45 | - | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | - | - | G2SBA60 | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4741A R1G | - | ![]() | 8318 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4741 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 12.2 v | 11 v | 16オーム | ||||||||||||||
![]() | ZMM39R13 | 0.0304 | ![]() | 30 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-ZMM39R13TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 90オーム |
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