画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cdll6316/tr | 12.2227 | ![]() | 5939 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6316/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 16オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n7048-1/tr | 7.8000 | ![]() | 6021 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n7048-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5378C/TR12 | - | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5378 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 72 v | 100 V | 90オーム | ||||||||||||||
jan1n4371d-1/tr | 8.4189 | ![]() | 8354 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4371d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | PMEG45A10EPD139 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-PMEG45A10EPD139-1727 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3828d-1/tr | 32.2126 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3828d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | MBR2545cth | - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR2545 | ショットキー | TO-220 | - | ROHS3準拠 | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | 1N4148W | 0.0200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Hy Electronic(Cayman)Limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 1N4148 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 4024-1N4148WTR | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1.25 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150°C | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX85B3V6-TR | 0.3800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B3V6 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 20 µA @ 1 V | 3.6 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-VSKE56/04 | 34.1360 | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | vske56 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKE5604 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 400 V | 10 mA @ 400 v | -40°C〜150°C | 60a | - | |||||||||||||
![]() | CDBHD120L-G | - | ![]() | 7503 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | TO-269AA | ショットキー | to-269aa) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 440 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | 1 a | 単相 | 20 v | ||||||||||||||||
![]() | cdll4474/tr | 10.3341 | ![]() | 6812 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1.5 w | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4474/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 19.2 v | 24 v | 16オーム | |||||||||||||||
![]() | SS10U100 | 0.3010 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-SS10U100TR | ear99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS1ME-TP | - | ![]() | 7316 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | GS1M | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1n972be3/tr | 2.4450 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N972BE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 385 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 49オーム | ||||||||||||||||
![]() | SZ1SMA5940BT3G | 0.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SZ1SMA5940 | 1.5 w | SMA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n4467d | 38.4450 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4467 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 200 Na @ 9.6 v | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBG5345A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 4515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5345 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 6.25 v | 8.7 v | 2オーム | ||||||||||||||
![]() | MMBZ5242BW-TP | 0.0363 | ![]() | 9282 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBZ5242 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | 353-MMBZ5242BW-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | UZ7706R | 468.9900 | ![]() | 5396 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7706R | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 MA @ 5.2 v | 6.8 v | 0.6オーム | |||||||||||||||||
![]() | IV1D06006O2 | 4.0900 | ![]() | 136 | 0.00000000 | InventChip | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4084-IV1D06006O2 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.65 V @ 6 a | 0 ns | 10 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 17.4a | 212pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
1SMA4763 R3G | - | ![]() | 4155 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4763 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1 µA @ 69.2 v | 91 v | 250オーム | ||||||||||||||||
AZ23C20-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 5079 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C20 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 15 V | 20 v | 50オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRF30L45CT | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF30 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 740 mV @ 30 a | 400 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | 129NQ135-1 | 25.5842 | ![]() | 2805 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | ハーフパック | 129nq | ショットキー | PRM1-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 129NQ135-1SMC | ear99 | 8541.10.0080 | 27 | 高速回復= <500ns | 135 v | 1.07 V @ 120 a | 3 MA @ 135 v | -55°C〜175°C | 120a | 3000pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
jan1n4623-1/tr | 3.4580 | ![]() | 4745 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4623-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600オーム | ||||||||||||||||
![]() | CZRUR52C22 | 0.0667 | ![]() | 9305 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜125°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | 150 MW | 0603/SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||
![]() | PDZ3.3BGWX | 0.2200 | ![]() | 1727 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、PDZ-GW | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3.18% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | PDZ3.3 | 365 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4748AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 3153 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4748 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N2466 | 74.5200 | ![]() | 7525 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2466 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 70a | - |
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