画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4748AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 3153 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4748 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N2466 | 74.5200 | ![]() | 7525 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2466 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 70a | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5938HR5G | - | ![]() | 8181 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1PGSMB5938 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BAW156235 | 0.0300 | ![]() | 1724 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAW156 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 7,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3AHR7G | - | ![]() | 6868 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3A | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | CZRA4731-HF | 0.1550 | ![]() | 9398 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | do-214ac 、maフラットリード | CZRA4731 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||||||
![]() | MBRF25100CT | - | ![]() | 5520 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF25100 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 25a | 920 mv @ 25 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | SDUR540 | 0.6000 | ![]() | 942 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | -1765-SDUR540 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 5 a | 45 ns | 30 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | - | - | |||||||||||||||
BAS40-00-E3-08 | 0.3300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 100 Na @ 30 V | 125°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | sml4761ahe3_a/h | 0.2253 | ![]() | 3802 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4761 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 56 v | 75 v | 175オーム | ||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30GHTE61 | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | RB520 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RB520S-30GHTE61TR | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | sl44he3_b/h。 | 0.4125 | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL44 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 8a | - | ||||||||||||||||
![]() | BAP51-02,115 | 0.4400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜150°C | SC-79、SOD-523 | BAP51 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 Ma | 715 MW | 0.35pf @ 5V、1MHz | ピン -シングル | 60V | 2.5OHM @ 10MA 、100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3290A | 93.8550 | ![]() | 6864 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 1N3290 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3290ams | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.1 V @ 200 a | 200 µA @ 300 V | -65°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||||||||
![]() | SK32AFL-TP | 0.0822 | ![]() | 7044 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SK32 | ショットキー | DO-221AC | ダウンロード | 353-SK32AFL-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -50°C〜125°C | 3a | 180pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SR815H | 0.2514 | ![]() | 5257 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR815 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.02 V @ 8 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N4554R | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N4554R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 a | 6.2 v | 0.14オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SBLB1040HE3/81 | - | ![]() | 8783 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 10 a | 1 MA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | - | ||||||||||||||||
![]() | BZS55B12 RAG | - | ![]() | 3016 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B12RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 20オーム | ||||||||||||||||
AZ23B7V5-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 2530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B7V5 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7.5オーム | ||||||||||||||||||
1N938A | 9.7400 | ![]() | 99 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N938 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX884S-C24IL | - | ![]() | 4937 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.79% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 16.8 v | 24.2 v | 70オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1C754.T1 | 0.3542 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | トレイ | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 400 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX8850S-C1V8YL | 0.3500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B2V4,143 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-B2V4 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||||||
DZ23C7V5-7-F | 0.0756 | ![]() | 5493 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通カソード | 7.5 v | 7オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 12fr10b bn bk r | - | ![]() | 4880 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12FR10 | 標準 | do-203aa | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.26 V @ 38 a | -65°C〜175°C | 12a | - | |||||||||||||||||
![]() | 301U140 GR BL | - | ![]() | 7899 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 301U140 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.22 V @ 942 a | 15 mA @ 1400 v | -40°C〜180°C | 300a | - | ||||||||||||||||
![]() | cdll5539/tr | 5.9052 | ![]() | 4963 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5539/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16 V | 19 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | S54F | 0.0660 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-S54FTR | ear99 | 3,000 |
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