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ダイオード（168966）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-MBRB3030CTLTRRP	-	RFQ	2670	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmbrb3030ctltrrp	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
CDLL4110E3	3.3516	RFQ	4642	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4110E3	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.15 v						16 v	100オーム
SF30FG-B	-	RFQ	2937	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		300 V		1.3 V @ 3 a	40 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V、1MHz
es1jlwhrvg	0.1553	RFQ	4716	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123W	ES1J	標準		SOD-123W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
PDZ4.7B/ZL115	0.0300	RFQ	158	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	3,000
v30dm45chm3/i	1.8600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DM45	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	600 mV @ 15 a		700 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
MBR2X120A120	51.8535	RFQ	1302	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	MBR2X120	ショットキー		SOT-227	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	52	高速回復= <500ns	2独立	120 v	120a	880 mV @ 120 a		3 MA @ 120 v	-40°C〜150°C
BZT52B13	0.1500	RFQ	9898	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.15％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		3,000					1 V @ 10 mA		100 Na @ 10 V						13 v	25オーム
3EZ8.2D10E3/TR8	-	RFQ	8547	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ8.2		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 6 V						8.2 v	2.3オーム
M5060SB1000	76.0200	RFQ	2	sensata-cryd om	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		標準		モジュール	ダウンロード	ROHS準拠	適用できない			ear99	8541.10.0080	10					1.35 V @ 50 a				60 a		単相	1 kV
SS25LHRFG	-	RFQ	5782	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS25	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 2 a		400 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	-
jans1n4623d-1	155.7750	RFQ	6058	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jans1n4623d-1	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						4.3 v	1600オーム
BZT52-B5V1X	0.2400	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.96％	-55°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123	BZT52		590 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
BZV55C22 L0G	0.0333	RFQ	5062	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZV55C		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 mA		100 Na @ 16 V						22 v	55オーム
BZT52C51-HE3-18	0.0378	RFQ	7663	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C51		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 38 V						51 v	70オーム
SB840	0.1616	RFQ	9619	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SB840	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1,250	高速回復= <500ns		40 v		650 mv @ 8 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜150°C	8a	200pf @ 5V、1MHz
NTE5819	5.8600	RFQ	4	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5819	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		1.4 V @ 12 a	400 ns	25 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	12a	-
1SMB5950	0.1453	RFQ	6059	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB5950		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1 µA @ 83.6 v						110 v	300オーム
jan1n6321dus/tr	38.3700	RFQ	3366	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jan1n6321dus/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 a		2 µA @ 5 V						7.5 v	4オーム
1N2846B	94.8900	RFQ	2785	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2846		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		10 µA @ 152 v						200 v	100オーム
ZPD18	0.0211	RFQ	15	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-ZPD18TR		8541.10.0000	10,000							100 Na @ 14 V						18 v	18オーム
VS-8EWL06FNTR-M3	1.0600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8EWL06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		600 V		1.05 V @ 8 a	170 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	8a	-
BZT52C3V3	0.0170	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.06％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-BZT52C3V3TR	ear99		3,000					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
MMSZ4703-HE3-08	0.0378	RFQ	7329	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4703		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 12.1 v						16 v
PDZ4.7B_R1_00001	0.2400	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.13％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	PDZ4.7B		400 MW	SOD-323	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-PDZ4.7B_R1_00001DKR	ear99	8541.10.0050	5,000							750 NA @ 1.5 V						4.7 v	90オーム
RB557WTL	0.4800	RFQ	2	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-75、SOT-416	RB557	ショットキー		EMD3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	30 V	100mA	490 mV @ 100 Ma		10 µA @ 10 V	125°C （最大）
R9G21012CSOO	-	RFQ	6178	Powerex Inc.	-	バルク	廃止			シャーシマウント	do-200ab、b-puk		標準		do-200ab、b-puk	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns		1000 V		2.3 V @ 1500 a	4 µs	75 mA @ 1000 v		1200a	-
Jan1n5532d-1	17.6700	RFQ	9959	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5532		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.8 v						12 v	90オーム
rkz33bkj＃r1	0.1000	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	8,000
1N5343B/TR12	2.6850	RFQ	4505	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5343		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		10 µA @ 5.4 v						7.5 v	1.5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（168966）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²