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ダイオード（168966）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
SMZJ3795bhm3_b/i	0.1500	RFQ	9034	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3795		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3795BHM3_B/ITR	ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 13.7 v						18 v	12オーム
1SMA180ZH	0.1245	RFQ	5422	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA180		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							1 µA @ 136.8 v						180 v	1200オーム
BZT52C11S-TP	0.1900	RFQ	2	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZT52C11		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						11 v	20オーム
CZRL5251B-G	-	RFQ	9852	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	CZRL5251		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 mA		100 Na @ 17 V						22 v	29オーム
jantxv1n446666cus/tr	40.1527	RFQ	8124	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4466cus/tr	ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		300 NA @ 8.8 v						11 v	6オーム
MA27V1800L	-	RFQ	4491	パナソニック電子コンポーネント	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）	表面マウント	2-SMD 、フラットリード	MA27V18			SSSMINI2-F1	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	10,000										1.41pf @ 3V、1MHz	シングル	6 v			2.21	C1/C3	-
12fr60b bn bk r	-	RFQ	6247	Vishay Semiconductor Opto Division	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	12FR60	標準		do-203aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.26 V @ 38 a			-65°C〜175°C	12a	-
BZT52C56-HF	0.0476	RFQ	8137	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-BZT52C56-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		45 Na @ 39.2 v						56 v	200オーム
PMEG4005EGW-QJ	0.0464	RFQ	6432	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123		ショットキー		SOD-123	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		40 v		470 mV @ 500 Ma		100 µA @ 40 V	150°C	500mA	43pf @ 1V、1MHz
1 PMT5936A/TR7	2.2200	RFQ	5137	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5936		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 22.8 v						30 V	28オーム
1N5351BE3/TR12	2.6850	RFQ	7541	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5351		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		1 µA @ 10.1 v						14 v	2.5オーム
BZD27C10P-M3-08	0.4600	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		7 µA @ 7.5 v						10 v	4オーム
VS-STPS30L30CGTRLP	-	RFQ	9564	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	STPS30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSSTPS30L30CGTRLP	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	460 mV @ 15 a		1.5 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
SE12DTLG-M3/i	1.3800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		400 V		1 V @ 12 a	300 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	3.6a	96pf @ 4V、1MHz
MMSZ5235A_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	MMSZ5229A	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.06％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	SOD-123	MMSZ5235		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-MMSZ5235A_R1_00001CT	ear99	8541.10.0050	3,000							3 µA @ 5 V						6.8 v	5オーム
1N6019C	4.1550	RFQ	4010	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6019		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 47 v						62 v	225オーム
LSM835G/TR13	1.9500	RFQ	1180	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-215ab 、mcガルウィング	LSM835	ショットキー		DO-215AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		35 v		520 mV @ 8 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜150°C	8a	-
GDZ24B-HE3-18	0.0378	RFQ	5668	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ24		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 19 v						24 v	120オーム
BZD27C20PHRFG	-	RFQ	5262	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15 V						20 v	15オーム
NTE5189A	12.8800	RFQ	88	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa			10 W	DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5189A	ear99	8541.10.0050	1													13 v	3オーム
1N4734AUR-1	3.4650	RFQ	5762	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-			影響を受けていない	150-1N4734AUR-1	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 2 V						5.6 v	5オーム
1N5926DG	7.5450	RFQ	3538	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5926		1.25 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v						11 v	5.5オーム
MB351-F	-	RFQ	2879	ダイオードが組み込まれています	-	バルク	sicで中止されました		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方メートル、MB	MB351	標準		MB	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100					1.2 V @ 17.5 a		10 µA @ 100 V		35 a		単相	100 V
1N2825BE3	95.1150	RFQ	1852年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2825		10 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 27.4 v						36 v	3.5オーム
SK32AHR3G	-	RFQ	4554	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SK32	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		20 v		550 mV @ 3 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	3a	-
SD175SB45A.T2	1.1781	RFQ	3560	SMCダイオードソリューション	-	トレイ	アクティブ			表面マウント	死ぬ	SD175	ショットキー		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0040	490	高速回復= <500ns		45 v		640 mV @ 30 a		800 µA @ 45 V	-55°C〜175°C	30a	1600pf @ 5V、1MHz
V15K170C-M3/h	0.6542	RFQ	6730	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V15K170C-M3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	170 v	3a	900 mV @ 7.5 a		50 µA @ 170 v	-40°C〜150°C
Mur260rl	-	RFQ	1073	onsemi	SwitchMode™	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	MUR26	標準		軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		600 V		1.35 V @ 2 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	2a	-
1PGSMC5348 M6G	-	RFQ	6184	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-1PGSMC5348M6GTR	ear99	8541.10.0050	3,000							5 µA @ 8.4 v						11 v	3オーム
MBR2535CTG	1.7000	RFQ	40	onsemi	SwitchMode™	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR2535	ショットキー		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	30a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（168966）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²