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ダイオード（168966）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
DDZ9709T-7	0.4500	RFQ	558	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	DDZ9709		150 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 18.2 v				24 v
UF4001G	-	RFQ	9118	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF400	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
MMSZ5226CT1G	0.2600	RFQ	7097	onsemi	MMSZ52XXXT1G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ522		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		25 µA @ 1 V				3.3 v	28オーム
1n5998b/tr	3.0723	RFQ	2606	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5998B/TR	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 na @ 6.5 v				8.2 v	7オーム
1PGSMC5365 R7G	-	RFQ	3228	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	850							500 NA @ 27.4 v				36 v	11オーム
JANKCA1N4572A	-	RFQ	1800	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4572a	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100オーム
MBR2060CT	-	RFQ	1971年年	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR2060CT	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	20a	950 mv @ 20 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
HERF1005G	0.5661	RFQ	7792	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	HERF1005	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	10a	1.3 V @ 10 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
jantx1n4988d	29.4600	RFQ	2281	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4988		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 136.8 v				180 v	450オーム
SMBG5949A/TR13	-	RFQ	8586	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5949		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 76 v				100 V	250オーム
RL107-N-0-4-AP	-	RFQ	4083	Micro Commercial Co	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	軸	RL107	標準		A-405	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		RL107-N-0-4-APMS	ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
S115	0.0230	RFQ	300	Yangjieテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-S115TR	ear99		3,000
S1BFL	0.4100	RFQ	8250	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123F	S1B	標準		SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	1 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	4PF @ 4V、1MHz
nzx3v3c、133	0.0200	RFQ	64	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±3％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	ALF2	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				3.3 v	100オーム
1N4617-1	2.8050	RFQ	8325	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA	1N4617		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V				2.4 v	1400オーム
ER1A-LTP	0.0592	RFQ	2730	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ER1A	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ER1A-LTPMSTR	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TZMC3V0-M-08	0.0324	RFQ	1139	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC3V0		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		4 µA @ 1 V				3 v	90オーム
MBRS1060cth	0.5920	RFQ	3878	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRS1060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MBRS1060CTHTR	ear99	8541.10.0080	1,600	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	900 mV @ 10 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
2EZ15D10E3/TR8	-	RFQ	8780	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ15		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 11.4 v				15 V	7オーム
jan1n4990dus	30.1500	RFQ	1473	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4990		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 167 v				220 v	550オーム
BAW56W-7	-	RFQ	8505	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAW56	標準		SOT-323	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	75 v	150ma	1.25 V @ 150 MA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
SMPZ3934B-E3/84A	-	RFQ	5497	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 18.2 v				24 v	19オーム
1N4746PE3/TR12	0.9150	RFQ	9220	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4746		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 13.7 v				18 v	20オーム
heraf805g c0g	-	RFQ	5355	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2フルパック	heraf805	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	80pf @ 4V、1MHz
FR206	-	RFQ	7331	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	FR20	標準		DO-15	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		800 V		1.2 V @ 2 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜125°C	2a	30pf @ 4V、1MHz
SBR8E60P5-7D	0.2400	RFQ	6133	ダイオードが組み込まれています	SBR®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	Powerdi™5	SBR8E60	スーパーバリア		Powerdi™5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		60 V		530 mv @ 8 a		580 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	8a	-
SBLB10L30HE3/45	-	RFQ	6595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB10L30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		30 V		520 mV @ 10 a		1 mA @ 30 v	-65°C〜150°C	10a	-
2m43zha0g	-	RFQ	4243	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2M43		2 W	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500							500 NA @ 32.7 v				43 v	35オーム
UZ7708	468.9900	RFQ	1112	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-			影響を受けていない	150-UZ7708	ear99	8541.10.0050	1							200 µA @ 6.2 v				8.2 v	0.8オーム
1N4957	6.6150	RFQ	4305	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4957		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		25 µA @ 6.9 v				9.1 v	2オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（168966）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²