画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4957 | 6.6150 | ![]() | 4305 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4957 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4993 | 14.2500 | ![]() | 8050 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4993 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 228 v | 300 V | 950オーム | ||||||||||||||||
jantx1n972c-1/tr | 5.1737 | ![]() | 1175 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n972c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 23 V | 30 V | 49オーム | ||||||||||||||||||
![]() | SDURF1540 | 0.3323 | ![]() | 3575 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | SDURF1540SMC | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 15 a | 45 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | バー90-099LRH E6327 | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 4-xfdfn | bar90 | PG-TSLP-4-7 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 Ma | 250 MW | 0.35pf @ 1V、1MHz | ピン-2独立 | 80V | 800mohm @ 10ma 、100MHz | ||||||||||||||||||
jans1n821-1/tr | 102.8550 | ![]() | 1717 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n821-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3031d-1/tr | 24.4853 | ![]() | 8846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3031d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||||
![]() | MBR15100-BP | - | ![]() | 2580 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | MBR15100 | ショットキー | TO-220AC | - | 353-MBR15100-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||||||
![]() | jan1n6328cus | 63.7050 | ![]() | 1940年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6328cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6941UTK3AS/TR | 267.4800 | ![]() | 7190 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | ショットキー、逆極性 | Thinkey™3 | - | 影響を受けていない | 150-1N6941UTK3AS/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65°C〜150°C | 150a | 7500PF @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BZT52HC22WFQ-7 | 0.0662 | ![]() | 9972 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±7.04% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | 31-BZT52HC22WFQ-7 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 25オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52B20S | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52B20STR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 50オーム | ||||||||||||||||||
![]() | mur1660f | 0.5190 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MUR1660F | ear99 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C7V5P-M-18 | - | ![]() | 3893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C7V5 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.5 v | 2オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX585B47 RKG | - | ![]() | 5896 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B4 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 45 Na @ 33 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||||||||
1N4753A BK PBFREE | 0.0522 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | |||||||||||||||||||
![]() | TZX2V7A-TR | 0.2400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX2V7 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 500 mV | 2.7 v | 100オーム | ||||||||||||||||
![]() | DSAI75-18B | - | ![]() | 4229 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | DSAI75 | 雪崩 | do-203ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1800 v | 1.17 V @ 150 a | 6 MA @ 1800 v | -40°C〜180°C | 110a | - | |||||||||||||||
![]() | RL257M-TP | - | ![]() | 7123 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | RL257 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 2.5 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 2.5a | 35pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
BZX84C12-7-F | 0.1500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | |||||||||||||||||
jans1n4972us/tr | 86.0502 | ![]() | 7311 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4972us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 v | 39 v | 14オーム | ||||||||||||||||||
![]() | DSEP2X61-03A | 35.1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred™ | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | DSEP2X61 | 標準 | SOT-227B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 300 V | 60a | 1.68 V @ 60 a | 30 ns | 650 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | bzx585b4v7 rkg | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B4 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | P3D12005T2 | 4.5000 | ![]() | 9356 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12005T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n4135ur/tr | 3.3900 | ![]() | 9364 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-STD-750 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N4135UR/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 291 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 76 v | 100 V | 1500オーム | |||||||||||||||||||
![]() | H2AF | 0.0230 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-H2AFTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ75D/TR12 | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ75 | 3 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 85オーム | ||||||||||||||||
BZD27C91PHM2G | - | ![]() | 7056 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 v | 90.5 v | 200オーム | |||||||||||||||||
![]() | MM3Z22VT1G | 0.1600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MM3Z22 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||||
![]() | V15K100C-M3/h | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 4.2a | 690 mV @ 7.5 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C |
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