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ダイオード（168966）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84W-B4V7-QX	0.0422	RFQ	1783	Nexperia USA Inc.	aec-q101、bzx84w-q	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1.91％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZX84W-B4V7-QXTR	ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V				4.7 v	80オーム
HER105-T	-	RFQ	9332	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	HER105	標準		DO-41	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	-
Jan1n755d-1/tr	5.8919	RFQ	9533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n755d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 5 V				7.5 v	6オーム
Hz9b1l-e	0.1000	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
SS14LHR3G	-	RFQ	8517	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS14	ショットキー		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		40 v		550 mV @ 1 a		400 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	-
BZT52C18-HE3_A-18	0.0533	RFQ	2499	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C18-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 14 V				18 v	45オーム
BZX84-A2V4,235	0.1000	RFQ	32	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	100オーム
SE70PJ-M3/86A	0.8900	RFQ	6045	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE70	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns		600 V		1.05 V @ 7 a	2.6 µs	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	2.9a	76pf @ 4V、1MHz
RD47E-AZ	0.0700	RFQ	8055	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	400
LL101C-13	-	RFQ	9826	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL101	ショットキー		SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		390 mV @ 1 Ma	1 ns	200 Na @ 30 V	125°C （最大）	30ma	2.2pf @ 0V、1MHz
SK34A	0.3400	RFQ	13	グッドアーク半導体	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		40 v		550 mV @ 3 a		200 Na @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	250pf @ 4V、1MHz
UES1105HR2/TR	59.8500	RFQ	1042	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-US1105HR2/TR	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 1 a	50 ns		-	2a	-
CDLL5224B	2.8650	RFQ	6135	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5224		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V				2.8 v	30オーム
UF1K R1G	-	RFQ	3644	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	uf1k	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		800 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
jantx1n748aur-1/tr	4.3092	RFQ	7475	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n748aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V				3.9 v	20オーム
smzj3796bhe3_b/h。	0.1508	RFQ	1648	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3796		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3796BHE3_B/H。	ear99	8541.10.0050	750								5 µA @ 15.2 v				20 v	14オーム
1SMB5913B-13	-	RFQ	1929年年	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB5913		550 MW	SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		廃止	0000.00.0000	3,000						1.5 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3.3 v	10オーム
1SS361FV、L3F	0.2000	RFQ	6067	東芝の半導体と貯蔵	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOT-723	1SS361	標準		vesm	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	8,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	80 v	100mA	1.2 V @ 100 MA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
1N4689-TP	-	RFQ	8996	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4689		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 100 MA		10 µA @ 3 V				5.1 v
BZV55-B39,115	-	RFQ	1272	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZV55				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500
PZM5.6NB2,115	-	RFQ	1765	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	PZM5.6		300 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	9,000						1.1 V @ 100 MA		2 µA @ 2.5 v				5.6 v	40オーム
CLL5262B BK TIN/LEAD	0.4100	RFQ	2	Corp	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000						1.25 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v				51 v	125オーム
SMBG5334C/TR13	-	RFQ	1602	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5334		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		150 µA @ 1 V				3.6 v	2.5オーム
PAB3ND431625	-	RFQ	7633	Powerex Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		PAB3-ND431625			10
AR3PK-M3/87A	0.3465	RFQ	9980	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		800 V		1.9 V @ 3 a	120 ns	10 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1.6a	34pf @ 4V、1MHz
DZ23C24-7-F	0.0756	RFQ	5932	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通カソード											24 v	80オーム
BZT52C36S	0.1500	RFQ	9561	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.56％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323			200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		3,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 25.2 v				36 v	90オーム
US1G-E3/61T	0.3800	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		400 V		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
heraf1603g c0g	-	RFQ	4980	台湾半導体コーポレーション	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	heraf1603	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 16 a	50 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	16a	150pf @ 4V、1MHz
Jan1n3028cur-1/tr	29.0339	RFQ	1544	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3028cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 16.7 v				22 v	23オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（168966）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²