画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52HC22WFQ-7 | 0.0662 | ![]() | 9972 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±7.04% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | 31-BZT52HC22WFQ-7 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZT52B20S | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52B20STR | ear99 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 50オーム | |||||||||||||
![]() | mur1660f | 0.5190 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MUR1660F | ear99 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C7V5P-M-18 | - | ![]() | 3893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C7V5 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.5 v | 2オーム | |||||||||||
![]() | BZX585B47 RKG | - | ![]() | 5896 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B4 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 45 Na @ 33 v | 47 v | 170オーム | ||||||||||||
1N4753A BK PBFREE | 0.0522 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
BZX84C12-7-F | 0.1500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||
jans1n4972us/tr | 86.0502 | ![]() | 7311 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4972us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 v | 39 v | 14オーム | |||||||||||||
![]() | DSEP2X61-03A | 35.1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred™ | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | DSEP2X61 | 標準 | SOT-227B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 300 V | 60a | 1.68 V @ 60 a | 30 ns | 650 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | |||||||||
![]() | bzx585b4v7 rkg | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585B4 | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||
![]() | P3D12005T2 | 4.5000 | ![]() | 9356 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3d | チューブ | アクティブ | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3D12005T2 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 0 ns | 44 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 21a | |||||||||||||||
![]() | 1n4135ur/tr | 3.3900 | ![]() | 9364 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-STD-750 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N4135UR/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 291 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 76 v | 100 V | 1500オーム | ||||||||||||||
![]() | H2AF | 0.0230 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-H2AFTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ75D/TR12 | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ75 | 3 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 85オーム | |||||||||||
BZD27C91PHM2G | - | ![]() | 7056 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 v | 90.5 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | MM3Z22VT1G | 0.1600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MM3Z22 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||
![]() | V15K100C-M3/h | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 4.2a | 690 mV @ 7.5 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
MNS1N5806US | 8.7000 | ![]() | 1907 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-MNS1N5806US | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 160 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||
![]() | jan1n3031dur-1/tr | 36.2558 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3031dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | ||||||||||||
![]() | pdz36bgwj | 0.2200 | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 自動車、AEC-Q101、PDZ-GW | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | PDZ36 | 365 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 27 V | 36 v | 60オーム | |||||||||||
jantxv1n5534c-1 | 23.3700 | ![]() | 7653 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5534 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 12.6 v | 14 v | 100オーム | ||||||||||||
SK22A R3G | - | ![]() | 9395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK22 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | 3EZ6.8D/TR12 | - | ![]() | 9386 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3EZ6.8 | 3 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.8 v | 2オーム | |||||||||||
![]() | SR3010-AP | 0.1198 | ![]() | 6588 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR3010 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | 353-SR3010-AP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜125°C | 3a | 200pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | stps30m60cr | 1.2800 | ![]() | 959 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | STPS30 | ショットキー | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 590 mV @ 15 a | 80 µA @ 60 V | 150°C (最大) | ||||||||||
jantxv1n5552us/tr | 14.3700 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5552us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
jantx1n4372a-1 | 8.7450 | ![]() | 4828 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4372 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 30 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | ||||||||||||
![]() | BZV85-C36,113 | 0.0300 | ![]() | 152 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV85-C36,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 25 V | 36 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | RGP02-15E-E3/53 | - | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1500 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||
![]() | SBR20U60CTFP-JT | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | SBR® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SBR20 | スーパーバリア | ITO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 31-SBR20U60CTFP-JT | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 500 µA @ 60 V | -65°C〜150°C |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫