SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZT52HC22WFQ-7 Diodes Incorporated BZT52HC22WFQ-7 0.0662
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 バルク アクティブ ±7.04% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード 31-BZT52HC22WFQ-7 ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 15.4 v 22 v 25オーム
BZT52B20S Yangjie Technology BZT52B20S 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜175°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 200 MW SOD-323 - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-BZT52B20STR ear99 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 15 V 20 v 50オーム
MUR1660F Yangjie Technology mur1660f 0.5190
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Yangjieテクノロジー - チューブ アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-MUR1660F ear99 1,000
BZD27C7V5P-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C7V5P-M-18 -
RFQ
ECAD 3893 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C7V5 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 V @ 200 mA 50 µA @ 3 V 7.5 v 2オーム
BZX585B47 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B47 RKG -
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 45 Na @ 33 v 47 v 170オーム
1N4753A BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4753A BK PBFREE 0.0522
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 Corp - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 27.4 v 36 v 50オーム
BZX84C12-7-F Diodes Incorporated BZX84C12-7-F 0.1500
RFQ
ECAD 42 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 12 v 25オーム
JANS1N4972US/TR Microchip Technology jans1n4972us/tr 86.0502
RFQ
ECAD 7311 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf e 5 W D-5B - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jans1n4972us/tr ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 2 µA @ 29.7 v 39 v 14オーム
DSEP2X61-03A IXYS DSEP2X61-03A 35.1300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfred™ チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック DSEP2X61 標準 SOT-227B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 高速回復= <500ns 2独立 300 V 60a 1.68 V @ 60 a 30 ns 650 µA @ 300 V -40°C〜150°C
BZX585B4V7 RKG Taiwan Semiconductor Corporation bzx585b4v7 rkg -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 2.7 µA @ 2 V 4.7 v 80オーム
P3D12005T2 PN Junction Semiconductor P3D12005T2 4.5000
RFQ
ECAD 9356 0.00000000 pn接合半導体 p3d チューブ アクティブ TO-220-2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220-2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けた 4237-P3D12005T2 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 0 ns 44 µA @ 650 v -55°C〜175°C 21a
1N4135UR/TR Microchip Technology 1n4135ur/tr 3.3900
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 マイクロチップテクノロジー MIL-STD-750 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA - 150-1N4135UR/TR ear99 8541.10.0050 291 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 76 v 100 V 1500オーム
H2AF Yangjie Technology H2AF 0.0230
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-H2AFTR ear99 3,000
3EZ75D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ75D/TR12 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ&リール( tr) アクティブ ±20% -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 3EZ75 3 W do-204al(do-41) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 56 v 75 v 85オーム
BZD27C91PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHM2G -
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 台湾半導体コーポレーション aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±6.07% -55°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27 1 W sma ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 68 v 90.5 v 200オーム
MM3Z22VT1G onsemi MM3Z22VT1G 0.1600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 MM3Z22 300 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
V15K100C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K100C-M3/h 0.8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 8-powertdfn ショットキー フラットパック(5x6) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 4.2a 690 mV @ 7.5 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
MNS1N5806US Microchip Technology MNS1N5806US 8.7000
RFQ
ECAD 1907 0.00000000 マイクロチップテクノロジー MIL-PRF-19500/477 バルク アクティブ 表面マウント sq-melf、a 標準 a sq-melf - 影響を受けていない 150-MNS1N5806US ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 160 v 875 mV @ 1 a 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V、1MHz
JAN1N3031DUR-1/TR Microchip Technology jan1n3031dur-1/tr 36.2558
RFQ
ECAD 8451 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/115 テープ&リール( tr) アクティブ ±1% -55°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) 1 W do-213ab ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n3031dur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 22.8 v 30 V 40オーム
PDZ36BGWJ Nexperia USA Inc. pdz36bgwj 0.2200
RFQ
ECAD 2127 0.00000000 Nexperia USA Inc. 自動車、AEC-Q101、PDZ-GW テープ&リール( tr) アクティブ ±2.5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 PDZ36 365 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 27 V 36 v 60オーム
JANTXV1N5534C-1 Microchip Technology jantxv1n5534c-1 23.3700
RFQ
ECAD 7653 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク アクティブ ±2% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5534 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 12.6 v 14 v 100オーム
SK22A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK22A R3G -
RFQ
ECAD 9395 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-214AC、SMA SK22 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 高速回復= <500ns 20 v 500 mV @ 2 a 500 µA @ 20 V -55°C〜150°C 2a -
3EZ6.8D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ6.8D/TR12 -
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ&リール( tr) アクティブ ±20% -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 3EZ6.8 3 W do-204al(do-41) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 4 V 6.8 v 2オーム
SR3010-AP Micro Commercial Co SR3010-AP 0.1198
RFQ
ECAD 6588 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 SR3010 ショットキー DO-201AD ダウンロード 353-SR3010-AP ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 850 mv @ 3 a 1 MA @ 100 V -55°C〜125°C 3a 200pf @ 4V、1MHz
STPS30M60CR STMicroelectronics stps30m60cr 1.2800
RFQ
ECAD 959 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 穴を通して To-262-3 Long Leads STPS30 ショットキー i2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 15a 590 mV @ 15 a 80 µA @ 60 V 150°C (最大)
JANTXV1N5552US/TR Microchip Technology jantxv1n5552us/tr 14.3700
RFQ
ECAD 3308 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/420 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント sq-melf e 標準 D-5B - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantxv1n5552us/tr ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 9 a 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N4372A-1 Microchip Technology jantx1n4372a-1 8.7450
RFQ
ECAD 4828 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±5% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4372 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 30 µA @ 1 V 3 v 29オーム
BZV85-C36,113 NXP Semiconductors BZV85-C36,113 0.0300
RFQ
ECAD 152 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-BZV85-C36,113-954 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 25 V 36 v 50オーム
RGP02-15E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-E3/53 -
RFQ
ECAD 1873年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP02 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1500 v 1.8 V @ 100 MA 300 ns 5 µA @ 1500 V -65°C〜175°C 500mA -
SBR20U60CTFP-JT Diodes Incorporated SBR20U60CTFP-JT -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 ダイオードが組み込まれています SBR® チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ SBR20 スーパーバリア ITO-220AB ダウンロード 1 (無制限) 31-SBR20U60CTFP-JT ear99 8541.10.0080 50 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 60 V 20a 710 mv @ 20 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫