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ダイオード（168966）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
CZRT5240B-G Comchip Technology CZRT5240B-G 0.0476
RFQ
 ECAD 6558 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 CZRT5240 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 8 V 10 v 17オーム
BZX84C13W-7 Diodes Incorporated BZX84C13W-7 -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました ±6％ -65°C〜125°C 表面マウント SC-70、SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
1SMA5931HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5931HR3G -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 台湾半導体コーポレーション aec-q101 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA 1SMA5931 1.5 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 13.7 v 18 v 12オーム
1N4742A G Microsemi Corporation 1N4742a g -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4742 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 9.1 v 12 v 9オーム
BZX384-B9V1,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B9V1,115 0.2300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 500 NA @ 6 V 9.1 v 15オーム
UDZLVTE-1768 Rohm Semiconductor udzlvte-1768 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F udzlvte 200 MW SOD-323F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 200 Na @ 52 v 68 v
JANTX1N759D-1 Microchip Technology jantx1n759d-1 7.5450
RFQ
 ECAD 4165 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N759 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 9 V 12 v 30オーム
JANTX1N4129UR-1/TR Microchip Technology jantx1n4129ur-1/tr 8.5652
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 500 MW DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantx1n4129ur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 47.1 v 62 v 500オーム
SK14 Good-Ark Semiconductor SK14 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 グッドアーク半導体 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 40 v 500 mV @ 1 a 200 Na @ 40 V -55°C〜150°C 1a 110pf @ 4V、1MHz
BAT721S,215 Nexperia USA Inc. BAT721S 、215 0.4400
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT721 ショットキー TO-236AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 200MA （DC） 550 mV @ 200 mA 15 µA @ 30 V 125°C （最大）
1N3891 Microchip Technology 1N3891 44.6400
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/304 バルク アクティブ スタッドマウント do-203aa 標準 do-203aa ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 1N3891MS ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 1.5 V @ 38 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65°C〜175°C 12a 115pf @ 10V、1MHz
MBRF16H45-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF16H45-E3/45 -
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ MBRF16 ショットキー ITO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 45 v 660 mV @ 16 a 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C 16a -
JANTX1N3025BUR-1 Microchip Technology jantx1n3025bur-1 14.5800
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/115 バルク アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ（ガラス） 1N3025 1 W do-213ab ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 12.2 v 16 v 16オーム
DSC04A065D1-13 Diodes Incorporated DSC04A065D1-13 2.7400
RFQ
 ECAD 3276 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント to-252-3 DSC04 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-252 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 650 V 1.5 V @ 4 a 170 µA @ 650 v -55°C〜175°C 4a 184pf @ 100mv、1MHz
PMEG2010EPA,115 NXP USA Inc. PMEG2010EPA 、115 -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 3-powerudfn ショットキー 3-HUSON （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 566 高速回復= <500ns 20 v 375 mV @ 1 a 50 ns 1.9 mA @ 20 v 150°C （最大） 1a 175pf @ 1V、1MHz
1N728A Microchip Technology 1N728A 1.9200
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N728 250 MW DO-35 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 39 v 70オーム
RGP10M-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-M3/54 -
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ＆リール（ tr） 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP10 標準 do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 高速回復= <500ns 1000 V 1.3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
ZM4743A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4743A L0G 0.0830
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ 175°C （TJ） 表面マウント do-213ab 、メルフ ZM4743 1 W メルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.9 v 13 v 10オーム
SM5399PL-TP Micro Commercial Co SM5399PL-TP 0.0431
RFQ
 ECAD 6472 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123F SM5399 標準 SOD-123FL ダウンロード 影響を受けていない 353-SM5399PL-TP ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 1.5 a 4 µs 5 µA @ 1000 v -55°C〜150°C 1.5a 11pf @ 4V、1MHz
JANS1N4575AUR-1/TR Microchip Technology jans1n4575aur-1/tr 86.1150
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 マイクロチップテクノロジー MIL-PRF-19500/452 テープ＆リール（ tr） アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA - 150-jans1n4575aur-1/tr ear99 8541.10.0050 50 2 µA @ 3 V 50オーム
1N5247B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5247B-TAP 0.0287
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆ボックス（ TB） アクティブ ±5％ 175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5247 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 13 V 17 v 19オーム
VLZ15A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ15A-GS18 -
RFQ
 ECAD 1940年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、vlz テープ＆リール（ tr） 廃止 - -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント VLZ15 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 40 µA @ 12.8 v 13.79 v 16オーム
DF08M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF08M-E3/45 0.7800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-EDIP （0.300 "、7.62mm） DF08 標準 DFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 800 V 1 a 単相 800 V
MBR25H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 MBR25 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 15a 640 mV @ 15 a 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
FFM1800W Rectron USA FFM1800W 0.0420
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 Rectron USA - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 標準 SMX ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 2516-ffm1800wtr ear99 8541.10.0080 60,000 高速回復= <500ns 1800 v 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1800 v -55°C〜150°C 500mA 15pf @ 4V、1MHz
MBRB10100CT-13 Diodes Incorporated MBRB10100CT-13 0.6400
RFQ
 ECAD 8099 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-263-3 MBRB10100 ショットキー TO-263 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 5a 840 mV @ 5 a 100 µA @ 100 V -55°C〜175°C
BZD27C24P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C24P-M3-08 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ＆リール（ tr） アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C24 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 18 V 24 v 15オーム
BAS116L315 NXP USA Inc. BAS116L315 -
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
JAN1N6332 Microchip Technology Jan1N6332 9.9000
RFQ
 ECAD 3164 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N6332 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 17 V 22 v 20オーム
1N5226A/TR Microchip Technology 1N5226A/TR 2.5669
RFQ
 ECAD 2533 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N5226A/TR ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 25 µA @ 950 mV 3.3 v 28オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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