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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N5353E3/TR13	0.9900	RFQ	7582	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5353		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v				16 v	2.5オーム
SMA3EZ91D5-TP	-	RFQ	7714	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMA3EZ91		3 W	do-214ac	-	ROHS3準拠			353-SMA3EZ91D5-TPTR	ear99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 69.2 v				91 v	115オーム
SDT4U40EP3-7B	0.1022	RFQ	6446	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	0603 （1608 メトリック）		ショットキー		X3-TSN1608-2	ダウンロード			影響を受けていない	31-SDT4U40EP3-7BTR	ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		40 v		550 mV @ 4 a		150 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	4a	295pf @ 4V、1MHz
SCS110AMC	-	RFQ	8147	Rohm Semiconductor	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	SCS110	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220FM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		回復時間なし> 500ma		600 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	200 µA @ 600 V	150°C （最大）	10a	430pf @ 1V、1MHz
1M180ZHB0G	-	RFQ	6545	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1M180		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000								5 µA @ 136.8 v				180 v	1200オーム
jan1n4464cus/tr	26.9100	RFQ	3874	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4464cus/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		300 NA @ 5.46 v				9.1 v	4オーム
BZV55-C39,115	0.0200	RFQ	837	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	llds;ミニフル	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZV55-C39,115-954		0000.00.0000	1						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 27.3 v				39 v	130オーム
UJ3D06520TS	5.6200	RFQ	6	Qorvo	gen-iii	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	UJ3D06520	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220-2	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	2312-UJ3D06520TS	ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma		650 V		1.7 V @ 20 a	0 ns	120 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	20a	654pf @ 1V、1MHz
DSR8F600	-	RFQ	1193	ダイオードが組み込まれています	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2		標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		2.7 V @ 8 a	45 ns	80 µA @ 600 V	150°C （最大）	8a	9.3pf @ 40V、1MHz
PZS1120BES_R1_00001	0.0270	RFQ	3098	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	PZS1120		150 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,330,000								10 Na @ 15.2 v				20 v
jans1n4619dur-1	209.1300	RFQ	4619	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v				3 v	1600オーム
BAV 99S H6827	-	RFQ	8032	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	bav 99	標準		pg-sot363-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	2ペアシリーズ接続	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C （最大）
SMA2EZ5.1D5-TP	-	RFQ	4660	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMA2EZ5.1		2 W	do-214ac	-	ROHS3準拠			353-SMA2EZ5.1D5-TPTR	ear99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V				5.1 v	3.5オーム
jan1n2837b	-	RFQ	9304	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2837		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 2 a		10 µA @ 69.2 v				91 v	15オーム
VI20100S-E3/4W	0.6846	RFQ	3584	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI20100	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		900 mV @ 20 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	20a	-
1SMB5932HR5G	-	RFQ	3439	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	1SMB5932		3 W	do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	850								1 µA @ 15.2 v				20 v	14オーム
1N3142	15.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		DO-8	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3142	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns		200 v		1.2 V @ 200 a		50 µA @ 200 V	-65°C〜200°C	100a	-
jan1n7052ur-1/tr	9.3150	RFQ	7620	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			250 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n7052ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								5 µA @ 1.5 v				4.8 v	35オーム
BZX84C6V8-G3-08	0.2700	RFQ	8951	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C6V8		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								3 µA @ 4 V				6.8 v	15オーム
MAZW068HGL	-	RFQ	2037	パナソニック電子コンポーネント	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-	表面マウント	SOT-723	MAZW068		150 MW	SSSMINI3-F2	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 4 V				6.8 v	30オーム
MMSZ4693T1	0.0400	RFQ	4529	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 5.7 v				7.5 v
CLL4691 BK	-	RFQ	2165	Corp	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	ダウンロード				1514-CLL4691BK	ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 100 MA		10 µA @ 5 V				6.2 v
1N5987D	5.1900	RFQ	2225	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5987		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V				3 v	95オーム
mm3z5v1c	0.0300	RFQ	195	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			200 MW	SOD-323F	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539						1 V @ 10 mA		1.8 µA @ 2 V				5.1 v	56オーム
PMEG100V060ELPE-QZ	0.6700	RFQ	26	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		CFP15B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		100 V		840 mV @ 6 a	8 ns	450 Na @ 100 V	175°C	6a	175pf @ 1V、1MHz
BZX84B3_R1_00001	0.1900	RFQ	8	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		410 MW	SOT-23	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-BZX84B3_R1_00001TR	ear99	8541.10.0050	3,000								10 µA @ 1 V				3 v	95オーム
MMSZ4714-HE3_A-18	0.0533	RFQ	1609	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4714-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		10 Na @ 25 V				33 v
V3NM153-M3/h	0.4900	RFQ	5180	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	バルク	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn	V3NM153	ショットキー		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V3NM153-M3/h			1		高速回復= <500ns		150 v		970 mV @ 3 a		35 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	1.8a	160pf @ 4V、1MHz
bat54j-qx	0.0558	RFQ	8927	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-90、SOD-323F	BAT54	ショットキー		SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BAT54J-QXTR	ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		800 mV @ 100 Ma		2 µA @ 25 V	150°C	200mA	10pf @ 1V、1MHz
MM3Z3V0T1GX	0.2200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	mm3z	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			300 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 100 MA		10 µA @ 1 V				3 v	95オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²