画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-S1039 | - | ![]() | 9108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1039 | - | 112-VS-S1039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | byv98-200-tr | 1.2600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byv98 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.1 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 4a | - | |||||||||
![]() | HS1FLH | 0.2378 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs1flhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4933GP | 0.1900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.2 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | HS3D | 0.4100 | ![]() | 1147 | 0.00000000 | うねり | - | バッグ | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2616-HS3d | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SBRT3U40P1Q-7-52 | 0.0887 | ![]() | 1290 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | Powerdi®123 | SBRT3 | スーパーバリア | Powerdi™123 | ダウンロード | 31-SBRT3U40P1Q-7-52 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 40 v | 490 mV @ 3 a | 180 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
CDLL5917C | 7.8450 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5917 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | surs8115t3g-vf01 | - | ![]() | 1624 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | surs8115 | 標準 | SMB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | SMBT1570LT3 | 0.0200 | ![]() | 9008 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 12,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SE15FGHM3/i | 0.0936 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SE15 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.05 V @ 1.5 a | 900 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.5pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | JTXM19500/469-02 | 441.7500 | ![]() | 7025 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
BAT54S-QR | 0.0328 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C | ||||||||||
![]() | 1N4763A | 0.1118 | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4763 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 69.2 v | 91 v | 250オーム | ||||||||||||
![]() | MM3Z20GW | 0.0271 | ![]() | 9156 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2796-MM3Z20GWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||
jan1n6343c | 39.6300 | ![]() | 4809 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6343c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 47 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5344E3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 2053 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5344 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 5.9 v | 8.2 v | 1.5オーム | |||||||||||
![]() | 444CNQ045 | 66.2045 | ![]() | 8087 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | PRM4 | 444CNQ | ショットキー | PRM4 (非分離) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 444CNQ045SMC | ear99 | 8541.10.0080 | 9 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 220A | 530 mV @ 220 a | 20 mA @ 45 v | -55°C〜125°C | |||||||||
![]() | VS-S1643 | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1643 | - | 112-VS-S1643 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GS3KBF | 0.0450 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-GS3KBFTR | ear99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DD1200S17H4B2BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DD1200 | 標準 | AG-IHMB130-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2独立 | 1700 v | - | 2.1 V @ 1200 a | 1250 A @ 900 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
JANKCA1N5529C | - | ![]() | 4268 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n5529c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n6779 | - | ![]() | 2081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-257-3 | 標準 | TO-257 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 480 v | 150°C (最大) | 15a | 300pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
BZX84B7V5W | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX84B7V5WTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | G4S06540 pt | - | ![]() | 9743 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247AC | - | 未定義のベンダー | 4436-G4S06540 pt | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 40 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 81.8a | 1860pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5346B TR | - | ![]() | 3330 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | ax-5w | ダウンロード | 1514-1N5346BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 7.5 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 2オーム | ||||||||||||||
![]() | g1as | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-G1AST | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFM14PLHE3-TP | 0.1081 | ![]() | 9702 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | SFM14 | 標準 | SOD-123FL | ダウンロード | 353-SFM14PLHE3-TP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | stps16170cg-tr | 2.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | STPS16170 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 170 v | 8a | 920 mv @ 8 a | 15 µA @ 170 v | 175°C (最大) | ||||||||||
![]() | BZX84J-B51,115 | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZX84J-B51 | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 110オーム | |||||||||||
![]() | xbs104p11r-g | 0.1025 | ![]() | 8127 | 0.00000000 | Torex Semiconductor Ltd | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | XBS104P11 | ショットキー | SOD-123P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 560 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | 125°C | 1a | 230pf @ 0V、1MHz |
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