画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SK22 | 0.0648 | ![]() | 3505 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-SK22TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 20 V | -50°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||
BZD27C160PHRQG | - | ![]() | 9443 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 120 v | 162 v | 350オーム | |||||||||||||||
![]() | 150CMQ040 | 49.3500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | TO-249AA (修正)、D-60 | 150cmq | ショットキー | TO-249 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 75a | 670 mV @ 75 a | 5 ma @ 40 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | Jan1n6352d | - | ![]() | 4667 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 114 v | 150 v | 1000オーム | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n3157ur-1 | - | ![]() | 7519 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/158 | バルク | アクティブ | - | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 v | 8.4 v | 15オーム | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259B-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5259 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | UG2HBF | 0.1060 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ug2hbftr | ear99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY20-GS08 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | zmy20 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 15 V | 20 v | 12オーム | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n6872utk2as/tr | 521.6100 | ![]() | 2862 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6872utk2as/tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US1J | 0.0190 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1 | 標準 | do-214ac | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-US1JTR | ear99 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5373B BK | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | T-18 、軸 | 5 W | ax-5w | ダウンロード | 1514-1N5373BBK | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 44オーム | |||||||||||||||||
![]() | D3Z5V6BF-7 | 0.2000 | ![]() | 702 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | D3Z5V6 | 400 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 1 µA @ 2.5 v | 5.61 v | 50オーム | ||||||||||||||
![]() | AZ23C11 | 0.0786 | ![]() | 7857 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-AZ23C11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRU2080CTA | 0.4430 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MBRU2080CTATR | ear99 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 20a | 650 mV @ 10 a | 200 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | VS-MT180BD16CCB | - | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | VS-MT180 | - | ROHS3準拠 | 112-VS-MT180BD16CCB | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3042c-1/tr | 22.7962 | ![]() | 6820 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3042c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | smzj3788bhe3_a/h。 | - | ![]() | 8341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3788 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7 V | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||||
VBO13-14NO2 | - | ![]() | 4362 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | QC端子 | 4 fo-a | VBO13 | 標準 | fo-a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.8 V @ 55 a | 300 µA @ 1400 v | 18 a | 単相 | 1.4 kV | |||||||||||||||
CDLL4704 | 3.3000 | ![]() | 8852 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL4704 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.9 v | 17 v | ||||||||||||||||
![]() | RA202625XX | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | do-200ad | RA202625 | 標準 | POW-R-DISC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 2600 v | 1.25 V @ 3000 a | 25 µs | 200 mA @ 2600 v | 2500a | - | ||||||||||||||
![]() | cdll5518d/tr | 16.3950 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5518d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 26オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-E5PW6006LHN3 | 4.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、FREDPT®GEN5 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-E5PW6006LHN3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.6 V @ 60 a | 42 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | MMSZ5246A-AU_R1_000A1 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5246 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMSZ5246A-AU_R1_000A1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N6700US/TR | 31.0800 | ![]() | 5144 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf c | ショットキー | D-5c | - | 100 | 高速回復= <500ns | 20 v | 470 mV @ 5 a | 200 µA @ 20 V | -65°C〜125°C | 5a | - | |||||||||||||||||||
![]() | ERT3AAF_R1_00001 | 0.1755 | ![]() | 6188 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AA | ERT3AAF | 標準 | SMBF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 120,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | jantx1n4496dus/tr | 49.7250 | ![]() | 2430 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4496dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | |||||||||||||||||
JANTX1N5533B-1 | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-204ah(do-35 ガラス) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 11.7 v | 13 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | BYP60A05 | 2.4700 | ![]() | 6607 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | フィットを押します | do-208aa | 標準 | DO-208 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-BYP60A05TR | 8541.10.0000 | 1 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 60 a | 1.5 µs | 100 µA @ 50 V | -50°C〜200°C | 60a | - | |||||||||||||
![]() | ACZRM5234B-HF | 0.0610 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | ACZRM5234 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム | |||||||||||||||
![]() | PMEG100T120ELPE-QZ | - | ![]() | 8336 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | PMEG | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | CFP15B | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1727-PMEG100T120ELPE-QZ | 廃止 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 840 mV @ 12 a | 28 ns | 6 µA @ 100 V | 175°C | 12a | 1050pf @ 1V、1MHz |
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