画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GV810B_R2_00001 | 0.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | GV810 | 標準 | TO-277B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-GV810B_R2_00001CT | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 8 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MUR1560HS-BP | 0.6743 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | MUR1560 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 353-MUR1560HS-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 15 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | ES3DHE3/9AT | - | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | V15pm153-m3/h | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 880 mV @ 15 Ma | 150 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | 3.8a | 885pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | SS10P3-M3/86A | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10p3 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 560 mV @ 10 a | 800 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
AZ23C4V3-HE3_A-08 | - | ![]() | 5335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23C4V3-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||||
![]() | B240AX-13 | 0.0738 | ![]() | 1860年 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B240 | ショットキー | SMA | ダウンロード | 31-B240AX-13 | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 2 a | 250 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | 220pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
S1KHR3G | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1K | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 12CTQ035S | 0.8700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 12ctq | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 6a | 600 mV @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | DXK810_T0_00001 | 0.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip | DXK810 | 標準 | DXK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-DXK810_T0_00001 | ear99 | 8541.10.0080 | 5,600 | 1.05 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 v | 8 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | STPS2030 | 0.8450 | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | STPS20 | 標準 | ito220ab (タイプwx2) | ダウンロード | 31-stps2030 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.3 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | MMXZ5226B-TP | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | MMXZ5226 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 100 MA | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | ||||||||||||||
![]() | SS3H9-E3/57T | 0.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS3H9 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 3 a | 20 µA @ 90 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||
![]() | rfn1lam7stftr | 0.6000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | rfn1lam7 | 標準 | PMDTM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 700 V | 1.5 V @ 800 Ma | 80 ns | 1 µA @ 700 V | 150°C (最大) | 800mA | - | ||||||||||||
![]() | GS1DWG_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | DO-214AC、SMA | GS1 | 標準 | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-GS1DWG_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
1n5918b/tr | 4.4156 | ![]() | 4780 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.25 w | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5918b/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4オーム | ||||||||||||||||
S15KLWH | 0.0666 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-S15KLWHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1.5 a | 1 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1.5a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N5359bg | 0.4800 | ![]() | 1318 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5359 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 18.2 v | 24 v | 3.5オーム | ||||||||||||||
![]() | Jan1n6636us/tr | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | e-melf | ダウンロード | 150-jan1n6636us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 20 µA @ 1 V | 4.7 v | 2オーム | |||||||||||||||||
![]() | MF100C12F2 | 33.3150 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | F2 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MF100C12F2 | ear99 | 8 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 100a | 1.58 V @ 100 a | 135 ns | 1 MA @ 1200 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | ES1GB | 0.0320 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ES1GBTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5934AP/TR12 | 1.8600 | ![]() | 2146 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5934 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | ||||||||||||||
![]() | SR806-BPC01 | - | ![]() | 2472 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR806 | ショットキー | DO-201AD | - | 353-SR806-BPC01 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 8 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 8a | 380pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | SBF2040CT | - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SBF2040 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | 31-SBF2040CT | 廃止 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 20a | 550 mV @ 10 a | 400 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||||||
![]() | SDM4A30EP3-7B | 0.1233 | ![]() | 3131 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | ショットキー | X3-TSN1608-2 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-SDM4A30EP3-7BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 570 mV @ 4 a | 250 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 4a | 107pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | MBRL20200FCT | 0.5030 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | ショットキー | ITO-220AB | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MBRL20200FCTTR | ear99 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 880 mV @ 10 a | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | BZX884S-B24IL | - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2.08% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||||
jantxv1n6335us/tr | 22.4550 | ![]() | 7435 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jantxv1n6335us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 23 V | 30 V | 32オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MBRL20200CT | 0.5280 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MBRL20200CT | ear99 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B2V4 | 0.0170 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 150 MW | SOD-523 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZX584B2V4TR | ear99 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫