画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-60CTQ035-N3 | - | ![]() | 7120 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 60CTQ035 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS60CTQ035N3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 30a | 560 mV @ 30 a | 2 MA @ 35 v | -65°C〜150°C | |||||||||||
BZT52C22Q | 0.0220 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BZT52C22QTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES5F | 0.1050 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-ES5FTR | ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5267C-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5891 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5267 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 56 v | 75 v | 270オーム | ||||||||||||||
![]() | DD171N16KKHPSA1 | 160.0375 | ![]() | 6321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | DD171N16 | - | ROHS3準拠 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZM5264C-GS18 | - | ![]() | 4112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5264 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | |||||||||||||
![]() | BZX284-C51,115 | - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 110オーム | |||||||||||||
MMBZ5267C-E3-18 | - | ![]() | 2627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5267 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 56 v | 75 v | 270オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5348C-TP | - | ![]() | 5046 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | ±5% | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5348 | 5 W | DO-15 | - | 353-1N5348C-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 a | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 2.5オーム | |||||||||||||||
![]() | GBJA2004-BP | 0.5012 | ![]() | 2288 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、Ja | GBJA2004 | 標準 | JA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 400 V | 20 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | NTE6068 | 18.4700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | スタッドマウント | DO-203AA | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE6068 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.25 V @ 20 mA | 2MA @ 800 V | -65°C〜190°C | 70a | - | ||||||||||||||
![]() | cdll5235/tr | 2.7132 | ![]() | 9781 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5235/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1S40-T | 0.0550 | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Rectron USA | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | R-1 、軸 | ショットキー | R-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-1S40-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 550 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | 150°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | M1MA151AT1G | - | ![]() | 5723 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | M1MA151 | 標準 | SC-59 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1.2 V @ 100 MA | 3 ns | 100 Na @ 35 V | 150°C (最大) | 100mA | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5952B3P-TP | 0.1102 | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5952 | 3 W | DO-41 | ダウンロード | 353-1N5952B3P-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 98.8 v | 130 v | 450オーム | |||||||||||||||
![]() | RD13F-AZ | - | ![]() | 6863 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 60 | ||||||||||||||||||||||||
BZX584C24-G3-08 | 0.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | CPZ58X-BZX55C3V3-WN | - | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | アクティブ | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | 1514-CPZ58X-BZX55C3V3-WN | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ5236B-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5236 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | UF158G_R2_00001 | 0.0567 | ![]() | 2102 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | UF158 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 60,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1.5 a | 100 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZX84-B8V2-QR | 0.0400 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BZX84-B8V2-QRTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5934BPE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5934 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | BZX84B43Q-7-F | 0.0382 | ![]() | 2436 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | BZX84 | - | 影響を受けていない | 31-BZX84B43Q-7-FTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
1N936A-1/TR | 11.7750 | ![]() | 6942 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N936A-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||||||
![]() | HER101G A0G | - | ![]() | 1828年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | HER101 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZX79C11 | 0.0287 | ![]() | 7043 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79C11TR | ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 MA | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | BZX384-C16F | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | BZX384-A4V7-QX | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | SMAJ4757AHE3-TP | 0.1150 | ![]() | 3237 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4757 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | 353-SMAJ4757AHE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 100 MA | 5 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | |||||||||||||||
![]() | SMBZ5924B-E3/52 | 0.2617 | ![]() | 5031 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5924 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 25 µA @ 7 V | 9.1 v | 4オーム |
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