画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDW10S120FKSA1 | - | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | IDW10S120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to247-3-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 10 a | 0 ns | 240 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 10a | 580pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-80-7650 | - | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7650 | - | 112-VS-80-7650 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4972cus/tr | 21.3150 | ![]() | 8822 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4972cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 v | 39 v | 14オーム | |||||||||||||||||
![]() | MMBZ5236BTW_R1_00001 | 0.0513 | ![]() | 7253 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | MMBZ5236 | 200 MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 3独立 | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | MM5Z4678T1G | 0.0534 | ![]() | 6392 | 0.00000000 | onsemi | mm5z4xxxtxg | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | MM5Z4678 | 500 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-MM5Z4678T1GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 v | ||||||||||||||
![]() | BZV55-B5V6,135 | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ16D5 | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 3 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 12.2 v | 16 v | 5.5オーム | |||||||||||||||
![]() | 1SMB3EZ16_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB3 | 3 W | SMB (DO-214AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 12.2 v | 16 v | 6オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n4992cus/tr | 37.5000 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4992cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 206 v | 270 v | 800オーム | |||||||||||||||||
![]() | DDZ16BSF-7 | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | DDZ16 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 70 Na @ 14.5 v | 15.65 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | 1EZ120D2/TR12 | - | ![]() | 5456 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1EZ120 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 710オーム | ||||||||||||||
![]() | 1M180Z B0G | - | ![]() | 9403 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1M180 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | |||||||||||||||
![]() | PZU3.3B2A 、115 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PZU3.3 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBG5386C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 9678 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5386 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBZ5937B-E3/52 | 0.1676 | ![]() | 2068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5937 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | ||||||||||||||
![]() | BZT52C39LP-7 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | BZT52 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | ||||||||||||||
DZ4J024K0R | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | - | - | 表面マウント | 4-SMD 、フラットリード | DZ4J024 | 200 MW | smini4-f3-b | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2独立 | 1 V @ 10 mA | 120 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | VBO125-08NO7 | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | ixys | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | PWS-C | VBO125 | 標準 | PWS-C | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.07 V @ 50 a | 200 µA @ 800 V | 124 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | RS3KC-HF | 0.1426 | ![]() | 6814 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | rs3k | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-RS3KC-HFTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | AZ23C3V9HE3-TP | 0.0721 | ![]() | 5750 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5.13% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C3V9 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-AZ23C3V9HE3-TP | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4737A | 0.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | ±0.5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-1N4737A | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZX55B30 | 0.0301 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX55B30TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX55B8V2-TR | 0.2200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B8V2 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | MBRB41 | ショットキー | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 800 mV @ 20 a | 10 µA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||||||||||
![]() | VS-20CTQ150SHM3 | 1.2000 | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 20CTQ150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 880 mV @ 10 a | 25 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | jan1n4483us | - | ![]() | 8813 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf | 1N4483 | - | ダウンロード | jan1n4483uss | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 NA @ 44.8 v | 56 v | 70オーム | ||||||||||||||||||
![]() | AZ23C3V0 | 0.0786 | ![]() | 3515 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-az23c3v0tr | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||
![]() | CMKZ5228B BK | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX84C27TW_R1_00001 | 0.0513 | ![]() | 4050 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BZX84 | 200 MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 3独立 | 100 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX84C8V7TW_R1_00001 | 0.0513 | ![]() | 6986 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BZX84 | 200 MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 3独立 | 700 na @ 5 v | 8.7 v | 15オーム |
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