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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
ZMD7.5	0.1260	RFQ	2	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			1 W	DO-213AA 、ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-Zmd7.5tr		8541.10.0000	2,500						500 na @ 3.5 v						7.5 v	4オーム
GC9704-150A	-	RFQ	9426	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	死ぬ		ショットキー		チップ	-			影響を受けていない	150-GC9704-150ATR	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		5 v	600 mV @ 1 Ma		100 Na @ 1 V	-55°C〜150°C	10ma	0.8pf @ 0V、1MHz
v3pm10-m3/i	0.1036	RFQ	9507	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	v3pm10	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V3PM10-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		100 V	560 mV @ 1.5 a		200 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	2.1a	300pf @ 4V、1MHz
jantxv1n4470us	17.6250	RFQ	5209	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 a		50 Na @ 12.8 v						16 v	10オーム
es2balh	0.1491	RFQ	5284	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード		標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-es2balhtr	ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		100 V	950 mv @ 2 a	35 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	28pf @ 4V、1MHz
1 PMT4115/TR13	0.9600	RFQ	6661	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4115		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000				1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 16.72 v						22 v	150オーム
ES1ALHRVG	0.2565	RFQ	7378	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES1A	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v	950 mv @ 1 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
S50310TS	158.8200	RFQ	8468	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S50310TS			1
umx9501fmr	-	RFQ	1015	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-65°C〜175°C		2-SMD				-	-			影響を受けていない	150-IMX9501FMR	ear99	8541.10.0060	1		4 w							0.9pf @ 50V、1MHz	ピン -シングル	150V			750MOHM @ 50MA 、100MHz
SMBG5339C/TR13	-	RFQ	7701	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5339		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 a		1 µA @ 2 V						5.6 v	1オーム
BZX79-B3V6,143	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1				900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 v	90オーム
GP10BE-E3/54	0.1840	RFQ	5881	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		100 V	1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
FS2D-LTP	0.0616	RFQ	7569	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	FS2D	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		200 v		150 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	2a	50pf @ 4V、1MHz
Jan1n3016dur-1	43.9350	RFQ	5439	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3016		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 mA		150 µA @ 5.2 v						6.8 v	3.5オーム
CDS752A-1/TR	-	RFQ	1296	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-CDS752A-1/TR	ear99	8541.10.0050	50
1N824	3.2200	RFQ	1595	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
jans1n821-1	102.6900	RFQ	5953	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
surs8110t3g	-	RFQ	1313	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	surs8110	標準		SMB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		100 V	875 mV @ 1 a	35 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	-
VS-150SQ035TR	-	RFQ	1342	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	150SQ035	ショットキー		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS150SQ035TR	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		35 v	540 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
VLZ16B-GS18	-	RFQ	6426	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ16		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 14.5 v						15.65 v	18オーム
1N2838RB	96.0150	RFQ	8008	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2838		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 a		10 µA @ 76 v						100 V	20オーム
jan1n5532d-1/tr	15.8137	RFQ	9544	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5532d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.8 v						12 v	90オーム
1 PMT5934A/TR7	2.2200	RFQ	1418	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5934		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18.2 v						24 v	19オーム
VS-MBRS190-M3/5BT	0.4900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MBRS190	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		90 v	780 mV @ 1 a		500 µA @ 90 V	-55°C〜175°C	1a	42pf @ 5V、1MHz
1N3343RB	8.5000	RFQ	100	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3343RB	ear99	8541.10.0080	10				1.5 V @ 10 a		5 µA @ 91.2 v						120 v	40オーム
1N5267B BK	-	RFQ	5539	Corp	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	インベントリの確認を要求します	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500				1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 56 v						75 v	270オーム
2M200Z B0G	-	RFQ	4337	台湾半導体コーポレーション	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	2M200		2 W	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000						500 NA @ 152 v						200 v	900オーム
NRVTS860PFST3G	0.9600	RFQ	3603	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	NRVTS860	ショットキー		TO-277-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		60 V	640 mV @ 8 a		70 µA @ 60 V	-55°C〜175°C	8a	870pf @ 1V、1MHz
BZG04-82-HM3-08	0.2079	RFQ	5325	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-82		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000				1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 82 v						100 V
1N5805/tr	5.8500	RFQ	2405	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5805/tr	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		125 v	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 125 v	-65°C〜125°C	1a	25pf @ 10V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²