RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZT52B2V7-G3-08	0.3800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B2V7		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													2.7 v	75オーム
SFAF2005GHC0G	-	RFQ	6131	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	SFAF2005	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		300 V		1.3 V @ 20 a	35 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	20a	150pf @ 4V、1MHz
RBV1508	1.6000	RFQ	800	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip、RBV-25		標準		RBV-25	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2439-RBV1508		8541.10.0000	100					1.1 V @ 7.5 a		10 µA @ 800 V		15 a		単相	800 V
1SMC5348_R1_00001	0.5700	RFQ	700	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1SMC5348		5 W	smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	800							5 µA @ 8.4 v						11 v	3オーム
PZM20NB1,115	-	RFQ	9177	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	PZM20		300 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		70 Na @ 15 V						20 v	20オーム
UES1305E3	30.5850	RFQ	2391	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	-			影響を受けていない	150-US1305E3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 3 a	50 ns	20 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	-
RD12JS-AZ	0.0500	RFQ	7493	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	2,700
CDBU0340-HF	0.3700	RFQ	20	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	CDBU0340	ショットキー		0603/SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000	高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 200 mA	6.4 ns	5 µA @ 30 V	125°C （最大）	350ma	50pf @ 0V、1MHz
plz7v5c-g3/h	0.2800	RFQ	8765	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.54％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz7v5		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 4 V						7.48 v	8オーム
R7S01212XX	84.7333	RFQ	2322	Powerex Inc.	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	do-200aa、a-puk	R7S01212	標準		DO-200AA 、R62	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1200 v		1.6 V @ 1500 a	10 µs	50 mA @ 1200 v		1200a	-
BZT52B16-HE3-18	0.0436	RFQ	7200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B16		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 12 v						16 v	13オーム
SSA34-M3/61T	0.1125	RFQ	4787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SSA34	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 3 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
NTE5087A	0.6000	RFQ	360	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			1 W	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE5087A	ear99	8541.10.0050	1													43 v	70オーム
S3MHR7G	-	RFQ	7189	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	S3M	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 3 a	1.5 µs	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
jantxv1n976cur-1/tr	17.3166	RFQ	4533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n976cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 33 v						43 v	93オーム
BZX384B4V7-E3-18	0.2700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B4V7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							3 µA @ 2 V						4.7 v	80オーム
AMMSZ5250B-HF	0.0725	RFQ	3681	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123	AMMSZ5250		500 MW	SOD-123	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		641-AMMSZ5250B-HFTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 15 V						20 v	25オーム
HS3MBH	0.1509	RFQ	6540	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-hs3mbhtr	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	3a	50pf @ 4V、1MHz
TSS0340L	0.0845	RFQ	1830	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	1005 （2512 メトリック）	TSS0340	ショットキー		1005	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-TSS0340LTR	ear99	8541.10.0070	4,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		45 v		370 mV @ 1 Ma		1 µA @ 40 V	-40°C〜125°C	30ma	1.5pf @ 1V、1MHz
rs1km	0.3900	RFQ	12	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、フラットリード	rs1k	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-rs1kmtr	ear99	8541.10.0080	12,000	高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	-
3N250-M4/51	-	RFQ	9581	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N250	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600					1 V @ 1 a		5 µA @ 600 v		1.5 a		単相	600 V
ZMM75	0.0385	RFQ	8483	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80C	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-ZMM75TR		8541.10.0000	2,500							100 Na @ 56 v						75 v	250オーム
EGP10AHM3/73	-	RFQ	1016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
mtzj30Sa	0.0305	RFQ	1337	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ag	mtzj30		500 MW	DO-34	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1801-MTZJ30SATR	ear99	8541.10.0050	10,000							200 Na @ 23 v						27.69 v	55オーム
1N4749A_R2_00001	0.0270	RFQ	7526	Panjit International Inc.	1N4728A	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4749		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-1N4749A_R2_00001CT	ear99	8541.10.0050	500,000							100 Na @ 18.2 v						24 v	25オーム
murf10005	-	RFQ	2925	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB		標準		TO-244	-		1 （無制限）		murf10005gn	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	50a	1.3 V @ 50 a	75 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
PZS513V9BAS_R1_00001	0.0324	RFQ	3679	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	PZS513		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,330,000							5 µA @ 2 V						3.9 v
ACGRC505-G	0.2501	RFQ	1329	comchipテクノロジー	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します			表面マウント	do-214ab 、mc	ACGRC505	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 5 a		5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	5a	25pf @ 4V、1MHz
SD101AW-G3-18	0.0577	RFQ	5050	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SD101	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		60 V		1 V @ 15 mA	1 ns	200 Na @ 50 V	-55°C〜125°C	30ma	2PF @ 0V、1MHz
PG154_R2_00001	0.0417	RFQ	7140	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	PG154	標準		DO-15	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	60,000	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1.5 a		1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²