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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
jantxv1n4583aur-1	24.0300	RFQ	9247	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4583		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	25オーム
HTZ160C14K	-	RFQ	2067	ixys	HTZ160C	箱	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	HTZ160	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	14400 v	1.7a	12 V @ 2 a		500 µA @ 14400 v
bzt52c4v3 rhg	0.2700	RFQ	2	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123F	BZT52C		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
MBRD1245CT-TP	0.3184	RFQ	7816	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD1245	ショットキー		d-pak	ダウンロード				353-MBRD1245CT-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	12a	470 mV @ 6 a		500 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N5247B-TR	0.2300	RFQ	2526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5247		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V						17 v	19オーム
1N5821	14.8950	RFQ	9686	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸		ショットキー		b 、軸	-			影響を受けていない	150-1N5821	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 3 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
SMBJ5375AE3/TR13	-	RFQ	7076	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5375		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 59 v						82 v	65オーム
1N827-1	6.0150	RFQ	1369	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N827		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
jan1n6327dus/tr	38.3700	RFQ	2543	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jan1n6327dus/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 9.9 v						13 v	8オーム
BZV55-C12	1.0000	RFQ	4800	Nexperia USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード						0000.00.0000	1
SK54A	0.5000	RFQ	22	グッドアーク半導体	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 5 a		200 Na @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	96pf @ 4V、1MHz
BZX384C13-E3-18	0.2400	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C13		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 8 V						13 v	30オーム
jantx1n5804	-	RFQ	4166	Semtech Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	sicで中止されました			穴を通して	軸	1N5804	標準		軸	-					ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3.3a	25pf @ 5v、1MHz
BZG05C16-M3-08	0.3900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.63％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C16		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 12 V						16 v	15オーム
jantxv1n4153-1	-	RFQ	3212	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/337	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4153	標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		880 mV @ 20 ma	4 ns	50 Na @ 50 V	-65°C〜175°C	150ma	2PF @ 0V、1MHz
SB1240-3G	0.4347	RFQ	5545	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-201AA		ショットキー		DO-2011	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない		2796-SB1240-3GTR		8541.10.0000	1,700	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 12 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	12a	-
DSTF2060C	1.6400	RFQ	20	Littelfuse Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	DSTF2060	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	650 mV @ 10 a		850 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
BZT52H-C62,115	-	RFQ	9309	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZT52				-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
MB800K01F3	26.9890	RFQ	1	Yangjieテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		ショットキー		F3	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-MB800K01F3	ear99		10	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	400a	890 mV @ 400 a		5 ma @ 100 v	-40°C〜150°C
DF1510S-E3/77	0.7700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF1510	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 1000 v		1.5 a		単相	1 kV
1PGSMA4764 R3G	-	RFQ	8525	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1PGSMA4764		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 76 v						100 V	350オーム
JANKCA1N5540D	-	RFQ	9598	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jankca1n5540d	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		10 na @ 18 v						20 v	100オーム
SMBZ1437LT3	0.0200	RFQ	40	onsemi	*	バルク	アクティブ									-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0050	10,000
jans1n4991us/tr	107.9502	RFQ	6601	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4991us/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 182 v						240 v	650オーム
BB659H7902	0.0300	RFQ	12	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-80				PG-SCD80-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	12,000										2.9pf @ 28V、1MHz	シングル	30 V			14.7	C1/C28	-
BAT54C	0.1500	RFQ	1503	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99		3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	30 V	200MA （DC）	1 V @ 100 MA	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
DFLS160Q-7-2478	-	RFQ	9492	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	バルク	前回購入します			表面マウント	Powerdi®123		ショットキー		Powerdi™123	-				31-DFLS160Q-7-2478			1	高速回復= <500ns		60 V		500 mV @ 1 a	12 ns	100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	67pf @ 10V、1MHz
BZX84C27-G3-18	0.2700	RFQ	5069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C27		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 18.9 v						27 v	80オーム
bzt52c9v1q-7-f	0.0384	RFQ	8691	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		370 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	31-BZT52C9V1Q-7-FTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
VS-20TQ045SHM3	-	RFQ	7706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-20TQ045SHM3	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		570 mV @ 20 a		2.7 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	20a	1400pf @ 5V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²