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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
1N2021	2.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準		DO-5	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N2021	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		150 v	1.19 V @ 90 a		10 µA @ 150 v	-65°C〜200°C	40a	-
DF02MA-E3/45	0.6100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-EDIP （0.300 "、7.62mm）	DF02	標準		DFM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50				1.1 V @ 1 a		5 µA @ 200 V		1 a		単相	200 v
Jan1n2809b	-	RFQ	3568	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2809		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 a		10 µA @ 8.4 v						11 v	0.8オーム
schj45k	-	RFQ	8852	Semtech Corporation	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	軸	SCHJ45	標準		-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns		45000 v	60 V @ 100 MA	2.5 µs	1 µA @ 45000 v	-55°C〜150°C	50ma	-
1SMA4736_R1_00001	0.3900	RFQ	16	Panjit International Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4736		1 W	sma（do-214ac）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800						5 µA @ 4 V						6.8 v	3.5オーム
BZX584B20 RKG	-	RFQ	2942	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 14 V						20 v	55オーム
CZRF9V1B-HF	-	RFQ	7946	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±3％	-55°C〜125°C	表面マウント	1005 （2512 メトリック）	CZRF9V1		200 MW	1005/SOD-323F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000				900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 7 V						9.1 v	10オーム
1N3311R	8.5000	RFQ	400	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3311		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3311R	ear99	8541.10.0080	10				1.5 V @ 10 a								12 v	1オーム
LSM190JE3/TR13	0.4350	RFQ	3054	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					LSM190				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
S3770	61.1550	RFQ	1114	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S3770			1
flz39va	0.0200	RFQ	45	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±3％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			500 MW	SOD-80	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0050	2,500				1.2 V @ 200 mA		133 Na @ 30 V						35.6 v	72オーム
1N1206A	35.0400	RFQ	6353	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/260	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		do-203aa	ダウンロード			影響を受けていない	1n1206ams	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V	1.35 V @ 38 a		5 µA @ 600 v	-65°C〜150°C	12a	-
BZD27C130PHRUG	-	RFQ	8997	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.41％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800				1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 100 V						132.5 v	300オーム
Jan1n4111111cur-1	14.5650	RFQ	1510	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4111			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13 V						17 v	100オーム
UM7006B	-	RFQ	4741	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C		軸				軸	-			影響を受けていない	150-UM7006btr	ear99	8541.10.0060	1		5.5 w							0.9pf @ 100V、1MHz	ピン -シングル	600V			1OHM @ 100MA 、100MHz
rs1jlhrtg	-	RFQ	3046	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	RS1J	標準		sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		600 V	1.3 V @ 800 Ma	250 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V、1MHz
jantxv1n5522dur-1	61.9050	RFQ	5887	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5522		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						4.7 v	22オーム
rs2kal	0.4100	RFQ	6	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	rs2k	標準		sma	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		800 V	1.3 V @ 2 a	500 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	2a	10pf @ 4V、1MHz
1N4734a	0.0300	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	9,779						10 µA @ 2 V						5.6 v	5オーム
BZT52H-B18-QX	0.0434	RFQ	8543	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.22％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1727-BZT52H-B18-QXTR	ear99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 12.6 v						18 v	20オーム
GBL208	0.2090	RFQ	132	Yangjieテクノロジー	GBL	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL		標準		GBL	-	ROHS準拠		影響を受けていない	4617-GBL208	ear99		1,320				1.05 V @ 1 a		10 µA @ 800 V		2 a		単相	800 V
UG8DT-E3/45	-	RFQ	2118	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	UG8D	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v	1 V @ 8 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	8a	-
EGL34B-E3/83	0.1513	RFQ	5249	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	EGL34	標準		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	9,000	高速回復= <500ns		100 V	1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	500mA	7pf @ 4V、1MHz
MBRM3100-13-F	-	RFQ	9805	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	Powermite®3	MBRM3100	ショットキー		パワーマイト3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		100 V	760 mV @ 3 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	3a	100pf @ 4V、1MHz
183NQ080-1	27.4551	RFQ	1836年年	SMCダイオードソリューション	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	ハーフパック	183nq	ショットキー		PRM1-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	183NQ080-1SMC	ear99	8541.10.0080	27	高速回復= <500ns		80 v	950 mV @ 180 a		4.5 mA @ 80 v	-55°C〜175°C	180a	4150pf @ 5V、1MHz
BZT52B18-G3-18	0.0483	RFQ	3197	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B18		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						100 Na @ 14 V						18 v	18オーム
RGL34B-E3/83	0.1635	RFQ	6760	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	RGL34	標準		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	9,000	高速回復= <500ns		100 V	1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
BZX84C27-G3-08	0.0353	RFQ	6213	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C27		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						50 Na @ 18.9 v						27 v	80オーム
TS40P05GH	2.8000	RFQ	504	台湾半導体コーポレーション	aec-q101	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p	TS40P05	標準		TS-6P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15				1.1 V @ 20 a		10 µA @ 600 V		40 a		単相	600 V
BZX84C36-AQ	0.0333	RFQ	1107	diotec半導体	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-50°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2796-BZX84C36-AQTR		8541.10.0000	3,000						50 Na @ 25.2 v						36 v	90オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²