画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52B4V7S | 0.0340 | ![]() | 2496 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B4V7STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | RS1J-13-G | - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | RS1J-13-GDI | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||
1N5528C | 11.3550 | ![]() | 2452 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5528C | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 na @ 7.5 v | 8.2 v | 40オーム | ||||||||||||||||||
![]() | FR203 | - | ![]() | 1262 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | FR20 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜125°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | v12pl63hm3/i | 0.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12PL63 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 6,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 580 mV @ 12 a | 450 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 12a | 2600pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | jan1n2826rb | - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2826 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 29.7 v | 39 v | 4オーム | ||||||||||||||||
STPS2L30UF | - | ![]() | 3671 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-221AA | STPS2L30 | ショットキー | smbflat | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 450 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||||||||||||||
MSC020SDA120B | 11.0500 | ![]() | 95 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 45 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 49a | 1130pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | HSMS-2804-TR2G | - | ![]() | 9320 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | TO-236-3 | HSMS-2804 | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 a | 2PF @ 0V、1MHz | Schottky -1ペア共通カソード | 70V | 35OHM @ 5MA、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5334BRL | - | ![]() | 7663 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5334 | 5 W | 軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 1 a | 150 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5941A | 3.4050 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N5941 | 1.25 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ5930AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5930 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 10オーム | |||||||||||||||
![]() | MMBD1703A | 1.0000 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 50ma | 1.1 V @ 50 mA | 1 ns | 50 na @ 20 v | 150°C (最大) | ||||||||||||||||
![]() | SDURF3020CT | 1.2700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SDURF3020 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | 1N3337B | 49.3800 | ![]() | 2863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3337 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 56 v | 75 v | 9オーム | |||||||||||||||
![]() | Jan1n759cur-1 | 11.3850 | ![]() | 4305 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N759 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30オーム | |||||||||||||||
jantx1n4468dus | 35.2050 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4468 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||||||
jantx1n6312dus | 55.6050 | ![]() | 9582 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6312 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C5V1 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N5265B-G | - | ![]() | 5464 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | - | 175°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-1N5265B-GTB | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||||||
ZMY7V5-GS08 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZMY7V5 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 5 V | 7.5 v | 2オーム | |||||||||||||||||
![]() | cdll5927b/tr | 3.6575 | ![]() | 8179 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1.25 w | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5927B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | MB4M-E3/45 | 0.6900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.200 "、5.08mm) | MB4 | 標準 | MBM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 500 Ma | 単相 | 400 V | |||||||||||||||
jantx1n5524d-1/tr | 15.1088 | ![]() | 3838 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5524d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3.5 v | 5.6 v | 30オーム | |||||||||||||||||
![]() | SR809H | - | ![]() | 4064 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR809HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 mv @ 8 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | APT2X100D30J | - | ![]() | 2096 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT2X100 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 300 V | 100a | 1.4 V @ 100 a | 47 ns | 500 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | BZY55B16 RYG | 0.0486 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | MBRL20U60CT-BP | - | ![]() | 1530 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-3 | MBRL20U60 | ショットキー | TO-220AB | - | 353-MBRL20U60CT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 560 mV @ 10 a | 120 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | TSI10L200CW | 2.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | TSI10 | ショットキー | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 900 mV @ 5 a | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
jans1n6318cus | 285.0750 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6318 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 8オーム |
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