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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
UF4003 BK Central Semiconductor Corp UF4003 BK -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Corp - バルク 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 UF4003 標準 DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜150°C 1a 20pf @ 4V、1MHz
HZM12NB1TR-E Renesas HZM12NB1TR-E 0.1500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±2.06％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW 3-mpak ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-HZM12NB1TR-E ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 9 V 11.66 v 35オーム
SSL23H Taiwan Semiconductor Corporation SSL23H 0.2793
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 台湾半導体コーポレーション aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SSL23 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 410 mv @ 2 a 400 µA @ 30 V -55°C〜125°C 2a -
RBQ3RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ3RSM10BTL1 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN ショットキー TO-277A ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 100 V 700 mV @ 3 a 80 µA @ 100 V 150°C 3a -
DLLFSD01LP3-7 Diodes Incorporated DLLFSD01LP3-7 0.3700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DLLFSD01 標準 X3-DFN0603-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 200 Na @ 80 V -65°C〜150°C 100mA 2.5pf @ 0V、1MHz
V8PAL45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pal45hm3_a/i 0.9700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive 、AEC-Q101、TMBS® テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-221BC V8Pal45 ショットキー DO-221BC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 14,000 高速回復= <500ns 45 v 430 mV @ 4 a 1.85 mA @ 45 v -40°C〜150°C 4a 1400pf @ 4V、1MHz
BZD27C6V8PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHRTG -
RFQ
 ECAD 6414 0.00000000 台湾半導体コーポレーション aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5.88％ -55°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27 1 W sma ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 3 V 6.8 v 3オーム
2EZ160DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ160DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±20％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 2EZ160 2 W do-204al（do-41） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 121.6 v 160 v 650オーム
JANTXV1N4488D Microchip Technology jantxv1n4488d 41.2350
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/406 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO041、軸 1.5 w DO-41 - 影響を受けていない 150-jantxv1n4488d ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 250 Na @ 72.8 v 91 v 200オーム
JANTXV1N4965 Semtech Corporation jantxv1n4965 -
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 ECAD 3582 0.00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/356 バルク sicで中止されました ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して 軸 1N4965 5 W 軸 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 15.2 v 20 v 4.5オーム
MMSZ5259BS Yangjie Technology MMSZ5259BS 0.0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-MMSZ5259BSTR ear99 3,000
DZ2433000L Panasonic Electronic Components DZ2433000L -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました ±5％ - 表面マウント SOD-128 DZ24330 2 W TMINIP2-F2-B - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 26.4 v 33 v 30オーム
JANTXV1N752C-1 Microchip Technology jantxv1n752c-1 11.3850
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/127 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N752 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 5 µA @ 2.5 v 5.6 v 11オーム
BZX84B2V4_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B2V4_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2.08％ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84 410 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-BZX84B2V4_R1_00001CT ear99 8541.10.0050 3,000 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
BZX84C5V1 Fairchild Semiconductor BZX84C5V1 -
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -50°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-236-3 BZX84C5 300 MW SOT23-3 - 0000.00.0000 1 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
CGRB207-G Comchip Technology CGRB207-G 0.1008
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB CGRB207 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 2 a 5 µA @ 1000 v 150°C （最大） 2a -
VLZ7V5B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ7V5B-GS08 -
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、vlz テープ＆リール（ tr） 廃止 - -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント Vlz7v5 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 3 µA @ 6.73 v 7.26 v 8オーム
1N5934AP/TR8 Microchip Technology 1N5934AP/TR8 1.8600
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N5934 1.5 w do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 18.2 v 24 v 19オーム
SF5400-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5400-TR 0.5346
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 穴を通して SOD-64 、軸 SF5400 標準 SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 12,500 高速回復= <500ns 50 v 1.1 V @ 3 a 50 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜175°C 3a -
2EZ160D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ160D/TR8 -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±20％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 2EZ160 2 W do-204al（do-41） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 121.6 v 160 v 650オーム
JAN1N6340US Microchip Technology jan1n6340us 15.9300
RFQ
 ECAD 6162 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 1N6340 500 MW B、sq-melf ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 36 V 47 v 75オーム
VBT760-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT760-E3/4W 0.3297
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 VBT760 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 60 V 800 mV @ 7.5 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C 7.5a -
1N5804/TR Microchip Technology 1N5804/tr 5.8500
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 穴を通して A 、軸 標準 A 、軸 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N5804/tr ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 100 V 875 mV @ 1 a 25 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V、1MHz
R3260 Microchip Technology R3260 49.0050
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-R3260 1
BA158GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158GPHE3/54 -
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ＆リール（ tr） 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BA158 標準 do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 1 a 250 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
1N4893A Microsemi Corporation 1N4893a -
RFQ
 ECAD 6780 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AA 1N4893 400 MW DO-7 ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 100 6.35 v 10オーム
1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS360 標準 SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
KBU801G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU801G T0G -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない KBU801GT0G ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 a 5 µA @ 50 V 8 a 単相 50 v
P2500J-CT Diotec Semiconductor P2500J-CT 2.6100
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 ECAD 8623 0.00000000 diotec半導体 - ストリップ アクティブ 穴を通して P600 、軸 P2500 標準 P600 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2721-P2500J-CT 8541.10.0000 12 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 25 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -50°C〜175°C 25a -
BZD17C62P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P MTG -
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±6.45％ -55°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD17 800 MW sma ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 47 v 62 v 80オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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