画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDBW130-G | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-123 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-CDBW130-GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜125°C | 1a | 120pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-10MT80KPBF | 79.1507 | ![]() | 6800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | mt-kモジュール | 110MT80 | 標準 | mt-k | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs110mt80kpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 a | 3フェーズ | 800 V | ||||||||||||
jantxv1n966c-1 | 8.9100 | ![]() | 2798 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N966 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 17オーム | ||||||||||||
BZX84C18-7-F-79 | - | ![]() | 5477 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.39% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 31-BZX84C18-7-F-79TR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ5340B-TP | 0.4800 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5340 | 5 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 v | 1オーム | |||||||||||
![]() | VLZ16A-GS08 | - | ![]() | 8534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ16 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 14.1 v | 15.19 v | 18オーム | |||||||||||
![]() | KBL602 | 0.6800 | ![]() | 6209 | 0.00000000 | Rectron USA | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbl | 標準 | KBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2516-KBL602 | ear99 | 8541.10.0080 | 4,600 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | 6 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||
jans1n6638u/tr | 25.5002 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/578 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf e | 標準 | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n6638u/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 125 v | 1.1 V @ 200 mA | 4.5 ns | 500 NA @ 150 V | -65°C〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | ES3B | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-ES3BTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | PDA9R9G01618 | - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | バルク | アクティブ | PDA9R9 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 10 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PBPC606 | - | ![]() | 1263 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | 箱 | 廃止 | -65°C〜125°C | 穴を通して | 4 平方、PBPC-6 | 標準 | PBPC-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||
![]() | GBPC2506W | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | トレイ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC2506 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | GBPC2506WDI | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 25 a | 単相 | 600 V | ||||||||||
![]() | BR2506 | 1.0490 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BR2506 | ear99 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2004-F | 1.7000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbj | GBJ2004 | 標準 | GBJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 10 a | 10 µA @ 400 V | 20 a | 単相 | 400 V | |||||||||||
![]() | GBPC5004W | 4.0155 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC5004 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 a | 5 µA @ 400 V | 50 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||
![]() | BZT52H-C56,115 | 0.0200 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
BZX84B2V4-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 1972年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B2V4 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | BZT55A9V1-GS18 | - | ![]() | 5599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | DL4738A-TP | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DL4738 | 1 W | メルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DL4738A-TPMSTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||
jan1n5527c-1/tr | 12.6749 | ![]() | 2147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5527c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | tuau4jh | 0.2565 | ![]() | 6438 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | tuau4 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-tuau4jhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 4 a | 50 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 4a | 62pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT52C20LP-TP | - | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | BZT52C20 | 250 MW | SOD-882 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||
jan1n6324c | 25.3650 | ![]() | 7253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6324 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 v | 6オーム | ||||||||||||
![]() | TLZ2V4B-GS18 | 0.0422 | ![]() | 4913 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ2V4 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 70 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||
![]() | SMBJ4764CE3/TR13 | - | ![]() | 7949 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4764 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | |||||||||||
![]() | jantxv1n3307b | - | ![]() | 7817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 50 µA @ 5.4 v | 8.2 v | 0.4オーム | |||||||||||||
jantxv1n4132d-1 | 28.9500 | ![]() | 7885 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4132 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 62.4 v | 82 v | 800オーム | ||||||||||||
![]() | GBU806-01-LS | 0.5760 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU806 | 標準 | GBU | - | 31-GBU806-01-LS | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.2 V @ 8 a | 5 µA @ 600 v | 8 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | SMBG5365AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 4871 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5365 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||
1N5954bur-1 | 7.5750 | ![]() | 6121 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1N5954 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 121.6 v | 160 v | 700オーム |
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